SVF20N60F(PN)说明书_1.1-L.pdf

SVF20N60F/PN 说明书 20A 、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF20N60F/PN 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶 体管，采用士兰微电子的F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压H 桥PWM 马达驱动。 特点 ∗ 20A ，600V ，R =0.28Ω@V =10V DS(on) （典型值） GS ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 材料 包装 SVF20N60F TO-220F-3L SVF20N60F 无铅 料管 SVF20N60PN TO-3PN 20N60 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 2012.11.15 Http:// 共8页 第1页 士兰微电子 SVF20N60F/PN 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 名 称 符号 单位 SVF20N60F SVF20N60PN 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 20.0 C 漏极电流 ID A T =100°C 12.6 C 漏极脉冲电流 IDM 80.0 A 耗散功率（T =25°C ） 74 258 W C PD - 大于25°C 每摄氏度减少 0.59 2.06 W/°C 单脉冲雪崩能量（注 1） EAS