SVF7N60T(F)(S)(MJ)说明书_1.3-L.pdf

SVF7N60T/F/S/MJ 说明书 7A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF7N60T/F/S/MJ N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶 体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 1 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 TO-263-2L 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 TO-251J-3L ∗ 7A，600V，RDS(on)(典型值)=1.0Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 1 12 2 3 3 ∗ 低反向传输电容 TO-220F-3L TO-220-3L ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF7N60T TO-220-3L SVF7N60T 无铅 料管 SVF7N60F TO-220F-3L SVF7N60F 无铅 料管 SVF7N60S TO-263-2L SVF7N60S 无铅 料管 SVF7N60STR TO-263-2L SVF7N60S 无铅 编带 SVF7N60MJ TO-251J-3L SVF7N60MJ 无铅 料管 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 2011.09.15 Http:// 共9页 第1页 SVF7N60T/F/S/MJ 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 名 称 符号 单位 SVF7N60T/