浅谈次世代FPD显示技术－SED-金属工业研究发展中心.docVIP

淺談次世代FPD顯示技術－SED 經濟部技術處ITIS計畫/金屬中心 產業分析師 盧素涵 何謂FED與SED SED（Surface-conduction Electron-emitter Display; 表面傳導電子發射顯示器）顯示器技術為場發射顯示器（Field Emission Display, FED）技術的一種，兩者差異僅在於結構上的不同。FED原理是由後端基板的陰極射出電子到前置基板的螢光層上，透過激發螢光體而發光顯色，原理類似傳統陰極射線管（Cathode Ray Tube, CRT）電視，均為在真空中發射電子撞擊磷光面板。 然而，不同的是兩者激發電子的方式。CRT是利用三支陰極之電子槍發射電子束，經由水平與垂直兩組偏向軛分別控制引導，使電子束能依序激發在玻璃基板表面上的螢光體而發光以產生圖像。而FED則是在陰極板上形成數以千萬的微小電子發射體，直接經由陰極板與陽極板之偏壓加速，直接撞擊其對面陽極板上之螢光粉而發光顯示影像。 資料來源：Canon 圖1、CRT與SED構造比較 SED發展歷程 1965年M.I.Elinson首先發表表面傳導型（Surface-conduction electron emitter, SCE）型冷陰極的射極原理。之後1976年與1986年陸續開發冷陰極射極陣列（Field emitter array, FEA）與利用FEA之Spindt型FED試作。然而，1986年由日本Canon開發的SED型FED構造是與之前任何型FED構造皆不同的獨特構造。2004年9月14日，Canon與Toshiba共同發表36吋SED試製面板並宣布同年10月將共同投資18.2億美元，合組一家名為SED Inc.的合資公司，專事生產SED之平面顯示面板，應用此面板所生產的平面電視稱為SED TV。第一階段計畫將在2005年8月開始小規模（月產3,000片）生產50吋SED面板，第二階段將在2007年底達到量產規模（月產75,000片），目標鎖定高階37吋~50吋大型平面數位電視。 不過，受限於製程技術尚未成熟、生產成本仍偏高、畫質不及LCD TV與PDP TV，因此Canon與Toshiba於今（2006）年3月宣布SED上市時程將延至2007年第四季。 表1、SED開發時程 年代 事件 1965 M.I.Elinson開發表面傳導型（SCE）型冷陰極的射極原理。 1976 美國SRI International公司Charles A. Spindt開發Spindt型之冷陰極射極陣列（FEA）。 1986 法國LETI公司利用Spindt型FEA試作。 1986 Canon開始進行SED型FED技術開發。 1996 美國PixTech公司發表Spindt型6吋彩色FED。 日本Canon發表3.1吋SED型FED試作。 1997 Canon發表10吋SED型FED試作。 1998 日本伊勢電子工業和三重大學開發奈米碳管（CNT）型電子源。 1999 松下電工發表彈道（Ballistic electron Surface-emitting Display, BSD）型FED試作。 2004.9.14 日本Canon與Toshiba發表36吋SED型FED試作。 2004.10 Canon與Toshiba成立「SED株式會社」，預計總投入2,000億日圓，分兩階段投資。 2005.08 預定量產50吋SED面板，月產能為3000片。 2005.08 Canon收購NEC旗下真空設備廠ANELVA以強化Canon相關技術，同年10月更名為Canon ANELVA。 2006.03 Canon宣佈SED上市時程從2006年春季延至2007年第四季。 資料來源：金屬中心ITIS計畫整理（2006/05） 顯示技術之比較 因SED應用與CRT相同的發光原理，是故SED在視角、動態影像、對比能與色階再現都如CRT般出色。由於SED的構造是將類似CRT電子槍的電子發射源依畫素數量排列在玻璃基板上，另一片玻璃基板則塗布同樣依畫素數量的RGB三色螢光體再將兩片玻璃基板貼合，並把其中極薄的空間抽成真空及四周予以密閉即成。因此SED可稱為「薄型化的CRT電視」。 集自發光、廣視角、高亮度與低耗電等優點於一身的SED TV，在整體畫質方面，除明對比不及LCD TV外，在暗對比、低耗電力、動畫視認性、視角、色再現性等大都優於LCD TV與PDP TV。 資料來源：日經BP（2005） 圖2、SED、LCD與PDP面板在整體畫質之比較 低耗能 SED將電子能量轉換為可見光的效率（發光效率）較其他顯示器佳，耗能僅為PDP