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2017-06-11 发布于北京
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第卷第期半导体学报 24 10 Vol. 24 No. 10 年月 2003 10 C~INESE J0 URNAL 0 F SEMIC0 NDUCT0 RS 0 ct . 2003 0 ptimization of IngaAs ouantum Dots f or 0 ptoelectronic Applications Duan Ruifei Wang Baogiang Zhu Zhanping and Zeng Yiping ( 100083 D NOZel MCterzClS DepCrtment 1nStztUte Of Semz6OncU6tOrS T e C zneSe A6Ccemy Of S6zen6eS Bez zng C znC : - 0. 35 0. 65 / Abstract Self assembled In Ga As GaAs guantum dots With loW indium content are groWn under different ( D. groWth temperature and investigated using contact atomic force microscopy AFM In order to obtain high density . and high uniformity of guantum dots optimiZed conditions are concluded for MBE groWth 0 ptimiZed groWth conditions also compared With these of InAs/ . / GaAs guantum dots This Will be very useful for InGaAs GaAs GDs . optoelectronic applications such as guantum dots laser