8.光谱特性选编.doc

实验8 PN结光生伏特效应光谱特性研究 实验目的 ⑴ 熟悉UV751-GD型分光光度计的基本结构并掌握其使用方法； ⑵ 通过实验过程了解PN结的光伏效应及其光谱特性的测试方法。 实验内容 测量普通硅太阳能电池、背表面场硅太阳能电池的光谱响应。 实验原理 ⑴ 光生伏特效应与光电池 光生伏特效应简称光伏效应。它是半导体PN结的基本光学性质之一。光伏效应不仅存在于PN结中，而且还存在于所有含有内建电势的两种固体材料的界面中。如金属-半导体接触的肖特基势垒也有此效应。 对于浅结二极管（结深），当光线垂直于结面照射时，光子进入半导体内，能量大于半导体禁带宽度的光子由于本证吸收而产生电子-空穴对（见图1c）。势垒区外一个扩散长度内的光生少子受PN结内建电场的作用均被扫到对边，在n区和p区分别形成电子和空穴的积累，产生一光生电动势。此光生电动势又给PN结以正向偏压，使PN结的势垒减低。于是，在PN结内部，既有由n区流向p区的光生电流，又有与方向相反的正向电流。在稳定光照下，开路的PN结内，，形成一稳定的光生电压。短路情况下，，光生电流全部流经外电路。这种由内建电场引起的光电效应称为光生伏特效应。太阳电池就是这种效应最直接的应用。 太阳电池基本上就是一个大面积的PN结。太阳电池的基本结构如图1所示。N+扩散层为顶区，P型硅衬底为基区，PN结两边的耗尽层为势垒区。由图2所示的太阳辐照光谱可见，太阳