03放大电路的频率特性.ppt

小结 将放大电路的电压放大倍数Au和相角φ作为频率的函数，这种函数关系称为放大电路的频率响应或频率特性。 影响高频区频率特性的主要因素是管子的极间电容和接线电容等；影响低频区频率特性的主要因素是耦合电容和旁路电容。因此放大电路的频率特性一般只有在中频区是平坦的，而在低频区或高频区，其频率特性则是衰减的。 当放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707倍的频率称为截止频率或转折频率，截止频率在低频段称为下限频率，在高频段称为上限频率，上限频率与下限频率的差值称为通频带，频率特性与通频带是放大电路的重要指标之一。 晶体管的频率参数用来描述管子对不同频率信号的放大能力。常用的频率参数有共发射极截止频率fβ、特征频率fT和共基极截止频率fα。 小结 由线性电抗元件引起的失真称为线性失真。线性失真与非线性失真本质上的不同在于前者决不产生新的频率成分。 用混合参数Π型微变等效电路分析高频特性，而用含耦合电容和发射极旁路电容的低频微变等效电路分析低频特性，二者的电路基础则是RC低通电路和RC高通电路。 共发射极放大电路由于高频输入—输出之间存在反馈电容，因而存在密勒效应，其高频响应受到限制。共基极电路不存在密勒效应，频带将得到扩展。 在射极偏置放大电路中，影响低频响应的主要因素是射极旁路电容，而影响高频响应的是密勒电容。 多级放大电路一个重要的概念就是总电压放大倍数虽然比单级放大电路的电压放大倍数提高了，但通频带变窄了。 第三章?? 放大电路的频率特性 在电子电路中所遇到的信号往往不是单一频率的正弦信号，而是各种不同频率分量组成的复合信号。由于晶体管本身具有电容效应，以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容C1、C2和旁路电容CE)，因此，对于不同频率分量，电抗元件的电抗和相位移均不同。所以，放大电路的电压放大倍数Au和相角φ成为频率的函数。我们把这种函数关系称为放大电路的频率响应或频率特性。 3.1?? 频率特性的一般概念 3.1.1????????? 频率特性的概念 1. 中频区 各种电容作用可以忽略的频率范围通常称为中频区。在中频区内，电压放大倍数Au基本上不随频率而变化，保持一常数，此时的放大倍数称为中频区放大倍数Aum。由于电容不考虑，所以也无附加相移。第二章所进行的动态分析都是在放大电路的中频区。 2.? 高频区 高频区，影响频率特性的主要因素是管子的极间电容和接线电容等，这些电容对高频特性的影响可用RC低通电路图来模拟。 当频率↑，容抗1/ωC↓，致使容抗上的分压减小，放大电路的输出电压减小，从而使放大倍数下降。同时将在输出电压与输入电压间产生附加的滞后相移。 RC低通电路图 ? 3. 低频区 在放大电路的低频区内，耦合电容和射极旁路电容对放大电路的影响，可用RC高通电路图来模拟。当频率降低时，容抗增大，致使容抗上的分压加大，放大电路的输出电压减小，从而使放大倍数降低。同时也会在输出电压与输入电压间产生附加的超前相移。 截止频率 综上所述，在频域内，共发射极放大电路的电压放大倍数将是一个复数， 幅度Au和相角φ都是频率f的函数，分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。我们将放大倍数下降到中频区放大倍数Aum0.707倍的频率通称为截止频率，在低频的段截止频率称为下限频率fl ，在高频段的截止频率称为上限频率fh ，上、下限频率称之差为通频带fbw。通频带的宽度，表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力，它是放大电路的重要技术指标之一。 RC高通电路图 共发射极放大电路的频率特性 (a) 幅频特性 (b) 相频特性 3.1.2????????? 线性失真 由于放大电路对不同频率成分的放大倍数不同，而产生的失真称为幅频失真；同样由于放大电路对不同频率成分的相位移不同，而产生的失真称为相频失真。无论是幅频失真还是相频失真，都是由线性电抗元件引起的，故这种失真称为线性失真，在输出波形中不产生新的频率成分 。 幅频失真 相频失真 3.2?? 晶体管的频率参数 影响放大电路的频率特性，除了电容外，还有影响高频特性的晶体管内部频率参数：共射极截止频率fβ、特征频率fT和共基极截止频率fα等。 3.2.1????????? 共射极截止频率fβ 晶体管共发射极放大电路的电流放大系数β是也频率的函数。中、低频时，β= β0是常数；当频率升高时，由于管子内部的电容效应，其放大作用下降，所以β可表示为： (幅频特性) φβ=-arctan f/fβ (相频特性) 将β幅值下降到0·707β0时的频率fβ定义为的截止频率。 3.2.2?????? 特征频率fT 将幅频特性下降到1时的频率fT定义为的特征频率。 通常fT/fβ