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导 言 电信号 信号：反映消息的物理量 电子信息系统——电子系统 模拟电子技术学习方法 比较总结 第1章 半导体器件基础 1.1 半导体基础知识 杂质半导体 第1章 半导体器件基础 1.2 半导体二极管 (semiconductor diode) 1.2.1 常见结构 1.2.2 伏安特性( volt ampere characteristic) 1.2.3 主要参数 1.2.4 等效电路(非线性伏安特性线性化) 1.2.5 稳压二极管 — 工作在反向击穿区 一、半导体器件基础 1.3 双极型晶体管 (BJT) 1.3.1 结构与类型 1.3.2 BJT的放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管的影响 一、半导体器件基础 1.4 场效应管 (Field Effect Transistor) 1.4 场效应管 (Field Effect Transistor) 1.4.1 结型场效应管 Junction FET 1.4.2 绝缘栅型场效应管 Insulated Gate FET 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 本章复习 N沟道结型场效应管 N沟道结构示意图 栅极g(gate) 漏极d (drain) 源极s(source) 导电沟道 1. 工作原理 栅-源电压uGS 0, PN结反偏,无载流子，属于高阻区 栅-源电压uGS 控制耗尽层宽度，进而控制沟道宽度 漏-源电压uDS 0 ：形成和控制漏电流 N型半导体中多子导电，不经过 PN 结 栅-源电压 uGS 对导电沟道的影响， uDS＝0 | uGS |↑ 耗尽层加宽 导电沟道变窄 耗尽层闭合 夹断 uGS=0 uGS ≤ UGS(off) UGS(off) uGS 0 uGS = UGS(off) ★UGS调节导电沟道的宽窄, 从而控制漏极电流 uGS ?(uGS(off), 0)， uDS 对漏极电流iD的影响 uDS↑ iD↑ uGD UGS(off) uGD = UGS(off) uGD UGS(off) 导电沟道不等宽 uGD = uGS(off) 夹断区增加， iD为恒流,受UGS控制 漏-源极间出现电势差 出现预夹断 uDS↑ ★UDS产生漏极电流 ,使导电沟道不等宽 2 结型场效应管的特性曲线 输出特性曲线 可变电阻区 恒流区 夹断区 击穿区 可变电阻：受 uGS 控制 预夹断轨迹： IDSS ：饱和漏极电流 转移特性曲线 工作原理相同：P沟道的多子是空穴 与N沟道相比，P沟道对应的电压、电流极性正好相反 讨论一: P沟道与N沟道结型场效应管的区别 结型场效应管：栅-源间的电阻 107? 仍不够高； 高度集成工艺比较复杂。 绝缘栅型场效应管 N沟道(增强型, 耗尽型) P沟道 (增强型, 耗尽型) IGFET 的栅极与源极(漏极)间用SiO2绝缘，由于栅极为金属铝，又被称为MOS管 (Metal-Oxide-semiconductor) 1. N沟道增强型MOS场效应管 结构 源极s与漏极d：在低掺杂的P型硅片上加入两个高掺杂的 N+ 区 栅极g：SiO2绝缘层上面的金属铝 通常衬底 B 与源极连在一起 工作原理 UGS形成并控制导电沟道宽窄 (UGS UGS(th) ) UDS产生漏极电流 ,使导电沟道不等宽 开启电压UGS(th) 1. N沟道增强型MOS管 特性曲线与恒流时的电流方程 ( IDO是2UGS(th)时,对应的漏电流) N沟道增强型开启电压UGS(th) 0 P沟道增强型 开启电压UGS(th)0 P沟道与N沟道增强型MOS场效应管的区别 2 N沟道耗尽型MOS场效应管 结构 uGS =0： 漏-源间存在导电沟道 uGS 0： 反型层加宽 uGS 0： 反型层变窄 夹断电压UGS(off) ：反型层消失时的电压 特性曲线 P沟道耗尽型曲线 — P49 讨论二: 场效应管特性曲线的判别方法 (P49) N沟道与P沟道的判别 N沟道输出曲线在一象限 P沟道输出曲线在三象限 结型与增强型-耗尽型的判别 结型: UGS= 0曲线位于边缘. 夹断电压UGS(off) 增强型MOS管: 不存在UGS= 0曲线. 开启电压UGS(th) 耗尽型MOS管: UGS= 0曲线位于中间. 夹断电压UGS(off) 电压UGS=0 所对应输出曲线的位置 例1.4.1 根据输出特性曲线