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张渚职业高级中学 06—07学年第二学期月考《模拟电子技术》考试卷 （本试卷考试时间90分钟，满分100分） 班级_______ 姓名___________学号__________ 成绩________ 填空题（30分） 半导体的导电能力介于______和________之间;其内部的载流子是________和________。 PN结具有________性能,即:加________电压时PN结导通，加________电压时PN结截止。 在图示（１）电路中，V为理想二级管，S闭合时P点电位是________伏，Ｓ打开时P点电位是________伏。 晶体三极管内部有两个PN结，分别叫做________和_______；处于放大状态时，偏置状态是_________________、_____________________。 PNP型三极管的发射区是___型半导体，基区是___型半导体，集电区是___型半导体。 为了使三极管有效地起放大作用，要求三极管发射区的掺杂浓度____，基区宽度___，集电结结面积____。 判断题（20分） 本征半导体内部有两种载流子，杂质半导体内部只有一种载流子。( ) 二极管一旦击穿就立即烧毁。 ( ) 二极管和三极管都属于非线性器件。 ( ) P型和N型杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。 ( ) 同温下，硅二极管的反向饱和电流大于锗二极管的反向饱和电流。 ( ) PN结加正向电压时，势垒电容大于扩散电容。 ( ) 半导体稳压二极管正常稳压时，应工作在正向未导通状态。 ( ) PN结正向偏置时，其内电场被削弱。 ( ) 温度升高时，三极管的穿透电流ICEO保持不变。 ( ) 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 ( ) 三、选择题(20分) 1．电路如图（２）所示，已知两个稳压管的V=4伏，V=７伏；它们的正向压降均为０．３伏，则输出电压V。为________________ A. ４伏 B. ４.３伏 C. ７.３伏 D.　１１伏 2．半导体中的空穴和电子的数目相等，这样的半导体称为__________ A．P型半导体 B.N型半导体 C.本征半导体 D.杂质半导体 3．设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. 4. 在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是_____________ A.NPN管发射极 B. PNP管发射 C.PNP管集电极 D.NPN管基极 5．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是________。 A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 6．发光二极管发光时，其工作在___________。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 ７．在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 _______ 。 A. 掺杂工艺 B. 温度 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷 ８．在某放大电路中 , 晶体管三个电极的电流如图所示，已量出 由此可知对应电极①是 ______ 。 发射 B. 基极 C. 集电 D. 不定 ９．如果在电路中测出某 NPN 管三个电极对地电位分别为 : 则该管工作在 ______ 区 。 A. 放大 B. 饱和 C. 截止 D. 击穿 10、由理想二级管组成的电路如图所示，其 A 、 B 两端的电压为 _______ 。 A.-12V B.+6V C.-6V D.+12V 分析计算题(30分) 　　１．电路如下图所示，电源电压E1=15伏，E2=9伏；电阻R=3kΩ;试求： １）若V为理想二极管时，求VAB　=　? 　IR　=　? ２）若V为硅晶体二极管时，求VAB　=　? 　IR　=　? (10分) ２．已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。(10分) 3、电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试