光电子学【五3】.pptVIP

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光电子学【五3】

光电子学 第五章 光辐射的探测 第二十讲;问题一:光电效应及特点? ;vmax光电子逸出最大v h?W,光电发射,入射光?下限(?上限) ——红限?,? ——红限?(长波限)。 ;IK饱和光I;?v入射光通量;SK常数—— 光电发射体灵敏度; 光I?入射光强。入射光?红限值(红限?, ?),产生光。 ;光入射半导体,材料内激发新载流子,电导率变。 ;光照产生电压现象。;光热效应;一接头吸热 ;问题八:光电探测与热探测性能比较?;;第十八讲要点 ;瞬时值平均0 ;光探测系统: 光辐射探测器; 后续电路(前置放大器、主放大电路); 噪声源: 与信号光检测有关噪声; 与电路有关电路噪声。 ;噪 声;① 量子噪声 ② 暗电流噪声 ;暗I 噪声(散粒) 无光照(暗I),过检测器I,随机起伏—— 散粒噪声。 与暗I 噪声类——漏I 噪声: 器件表面不完善(缺陷及污染)致。 内部I 增益器件——倍增噪声: 倍增过程统计特征产生附加散粒噪声。 ;量子噪声(散粒,不可消):单位t 达检测器信号光子数随机性,信号电平有关; 散粒噪声:量子噪声起伏,光子及光电子随机性引起; 暗I 噪声:无光照,过检测器I,随机起伏,散粒噪声; 漏I 噪声:器件表面不完善(缺陷及污染)引起; 倍增噪声:内部I 增益器件,倍增统计产生附加散粒噪声; 载流子产生——复合噪声:光激发产生载流子和载流子复合随机性过程,引起I 随机起伏形成; 与?有关噪声:低频(红)和高频(蓝)噪声,白噪声; 背景噪声:伴随光信号从传输介质引入。 ;探测器后放大电路噪声源: R 噪声 前置放大器噪声; 后者对信号影响大。 各种噪声: 有些略; 有些分析原因,抑制或消除。 ;噪声随机信号,不能预见精确性; 规律可循,找规律,解决办法。 光探测器及系统噪声,何时幅度多大,偶然。 随机起伏量遵循统计分布律,统计概率求统计参量。;常见噪声,概率: 泊松分布(离散); 高斯分布(连续); 连续变物理量(V,I)噪声遵循高斯分布; 离散物理量(光子,电子数)噪声概率泊松分布——描述大量独立事件统计特性规律。 如,光子达光接收面概率泊松分布(独立): ;近似,高斯代替泊松分布,误差不大。高斯分布: ;均方值表示随机起伏大小。无规变物理量,瞬时值平均0,均方值定,该物理量变规律。噪声V(I )平方值长t 平均: 噪声上式定。均方根噪声V(I )有效值。 ;非周期起伏信号用功率谱密度,知噪声频率分布特征, 抑制探测系统噪声提供依据。 随t 变信号,傅里叶变换,时域?频域。同信号傅里叶变换与反变换: SN(? )噪声功率? 谱,功率谱密度。 ;随机过程功率频谱自相关函数傅里叶变换。噪声I iN(t),自相关函数: 噪声I 两不同时刻联系。t =0: 噪声功率。;(5-3-11)代入(5-3-10): (5-3-12)与(5-3-8)比较: 功率谱密度SN(? )与?无关。(5-3-12) ?? 噪声存在? 范围或测量设备? 范围。 ;实际噪声与光电探测相关噪声功率分布具(5-3-14)特点。 研究噪声功率,求SN(? )可。 散粒噪声与热噪声,处理自相关函数SN(t ),噪声功率谱密度: ;典型功率谱密度曲线。 白噪声宽频范围SN(? )(噪声功率谱密度)不变。 低频与高频噪声——有色,分布部分? 间隔。 ;根据噪声分布,抑制,原则: 信号频带范围,SN(? )(噪声功率谱密度)尽量抑制。 可: ?系统带宽; 滤波装置。 ;不同时刻噪声取值随机,有联系。 噪声关系——相关,否—— 无关。 光探测器,噪声源: 噪声源不相关,总噪声功率各功率叠加:;入射PN结光许多光子,每光子电子空穴对,脉冲I,一些光子不产生电子,光子数Np0,与总光子数Np关系: ;噪声I平方: (5-3-3),噪声I均方值 光I平均值。光子能量→光I,光电检测器? 响应与矩形响应低通滤波器? 响应等同,引等效带宽??。?? 脉冲宽度T关系: (5-3-22)代(5-3-21),光量子噪声I ;;有I内增益光电探测器件(雪崩光电二级管),量子燥声和暗I噪声除按倍增效益放大,附加起伏。 每光生载流子不同倍增

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