半导体材料【基础理论】.pptVIP

Semiconductor;1、原子的能级和晶体的能带;晶体的结合形式;电子的共有化运动;当两个原子相距很远时，如同两个孤立的原子，每个能级是二度简并的。当两个原子互相靠近时，每个原子中的电子除了受到本身原子势场的作用，还要受到另一个原子势场的作用，其结果是每一个二度简并的能级都分裂为二个彼此相距很近的能级，两个原子靠得越近，分裂得越厉害。 当N个原子互相靠近形成晶体后，每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距很近的能级，这N个能级组成一个能带，这时电子不再属于某一个原子而是在晶体中作共有化运动。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;金属、绝缘体与半导体;对于所有能级均被电子所占满的能带（满带），在外电场作用下，其电子并不形成电流，对导电没有贡献。- ----- 满带电子不导电。 通常原子中的内层电子都是占满满带中的能级，因而内层电子对导电没有贡献。 对于被电子部分占满的能带（导带），在外电场作用下，电子可从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，从而形成电流，起导电作用。 ----- 导带电子有导电能力。;(c)对于金属，由于组成金属的原子中的价电子占据的能带是部分占满的，所以，金属是良好的导体。;绝缘体(a)和半导体(b)的能带结构基本上是相似的，在价电子基本占满的价带和基本上全空的导带之间隔有禁带。 唯一有区别的是，半导体的禁带宽度较窄，约为1eV左右，因而在室温下，价带中不少电子可以被激发到导带中形成导电电子并在价带中留下导电空穴。故此，原先的空带和满带都变成了部分占满的能带，在外电场作用下，导带的电子和价带的空穴都能够起导电作用。这是半导体与金属导体的最大差别。而绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大能量，在通常温度下，能激发到导带的电子很少，所以导电性很差。;一定温度下半导体的能带示意图。;硅的最外层电子是3s23p2，应该分裂成N个s能级和3N个p能级，中间夹以禁带。这样的话，硅最外层的4N的电子将填满整个s能级和半填满p能级，根据能带论，Si将是导体。;但实际上，硅原子组成晶体时，其s和p轨道将会由于sp3轨道杂化而形成杂化轨道。;原子结合成晶体时形成上下各包含2N个状态的两个能带，因而4N个电子恰好将下面的能带填满而上面的能带全空，形成了价带（满带）和导带，中间隔以禁带。;价带电子的总电流，就如同一个带正电荷的粒子运动时所产生的电流。因此，通常把价带中空着的状态看成是带正电的粒子，称为空穴。引入这样一个假想的粒子----空穴后，便可以把价带中大量电子对电流的贡献用少量空穴表达出来。 半导体中除了导带上电子的导电作用外，还有价带上空穴的导电作用。;;;n0=p0=(NcNv)1/2 exp(-Eg/2kT) = ni Nc、Nv 是导带底和价带 顶的有效状态密度； k是波耳兹曼常数； T为温度； Eg是禁带宽度； ni称为本征载流子浓度;;一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质； 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格处，称为替位式杂质。 间隙式杂质一般比较小；而形成替位式杂质时，要求替位式杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近。如；III、V族元素在Si晶体中都是替位式杂质。;下面讨论硅中掺磷(P)的情况：;在正电中心周围的那个多余的价电子受到的束缚作用比共价键的束缚作用弱得多，只要很少的能量就可以使它挣脱束缚成为导电电子在晶格中自由运动。这时，磷原子就成为少了一个价电子的磷离子(P+)，它是一个不可移动的正电中心。 上述电子脱离杂质原子束缚成为导电电子的过程称为杂质电离；使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量称为杂质电离能