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微电子工艺（3）--氧化 田丽 第4章 氧化 4.1二氧化硅薄膜概述 4.2 SiO2的掩蔽作用 4.3 氧化机理 4.4 氧化系统、工艺 4.5 影响氧化速率的各种因素 4.6 杂质再分布 4.7 SiO2/Si界面特性 4.8 氧化层的检测 4.1二氧化硅薄膜概述 二氧化硅是微电子工艺中采用最多的介质薄膜。 二氧化硅薄膜的制备方法有： 热氧化 化学气相淀积 物理法淀积 阳极氧化等 热氧化是最常用的氧化方法，需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。 4.1.1二氧化硅结构 SiO2基本结构单元 结构 4.1.2二氧化硅的理化性质及用途 密度 是SiO2致密程度的标志。密度大表示致密程度高，约2-2.2g/cm3； 熔点 石英晶体1732℃,而非晶态的SiO2无熔点，软化点1500℃ 电阻率 与制备方法及所含杂质有关,高温干氧可达1016Ω·cm,一般在107-1015 Ω·cm； 介电性 介电常数3.9； 介电强度 100-1000V/μm； 折射率 在1.33-1.37之间； 腐蚀性 只和HF酸反应，与强碱反应缓慢。 4.1.3 二氧化硅薄膜中的杂质 4.1.4 杂质在SiO2中的扩散 杂质SiO2中在扩散系数： DSiO2=D0exp(-ΔE/kT) 利用相同情况下，硼、磷等常用杂质在SiO2中的扩散速度远小于在硅中扩散速度，SiO2层对这些杂质起到“掩蔽”作用。 镓和钠等碱金属扩散在SiO2扩散速度快， SiO2层对这些杂质起不到“掩蔽”作用。 4.1.4 杂质在SiO2中的扩散 SiO2掩蔽层厚度的确定 掩蔽条件: DSiDSiO2 4.2硅的热氧化 热氧化制备SiO2工艺就是在高温和氧化物质（氧气或者水汽）存在条件下，在清洁的硅片表面上生长出所需厚度的二氧化硅。 热氧化是在Si/SiO2界面进行，通过扩散和化学反应实现。O2或H2O，在生成的二氧化硅内扩散，到达Si/SiO2界面后再与Si反应， O2+Si → SiO2； H2O+Si → SiO2+H2 ， 硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚。 生长1μm厚SiO2 约消耗0.44μm 厚的硅 4.2.1 热氧化工艺 热氧化的设备主要有水平式(6英寸以下的硅片)和直立式(8英寸以上的硅片)两种。 氧化系统由四部分组成： 气源柜 炉体柜 装片台 计算机控制系统 热氧化方法 干氧氧化：氧化膜致密性最好，针孔密度小，薄膜表面干燥，适合光刻，但是生长速率最慢； 湿氧氧化：氧化膜较干氧氧化膜疏松，针孔密度大，表面含水汽，光刻性能不如干氧，容易浮胶。湿氧与干氧比，水温越高，水汽就越多，二氧化硅生长速率也就越快； 水蒸汽氧化：在三种热氧化方法中氧化膜致密性最差，针孔密度最大，薄膜表面潮湿，光刻难，浮胶。但是，生长速率最快。 工艺 掩膜氧化（厚氧化层） 干氧-湿氧-干氧 薄层氧化（MOS栅） 干氧 掺氯氧化 不同工艺制作的SiO2的主要物理性质 4.2.2 热氧化机理 在热氧化的过程中，氧化反应将在SiO2-Si界面处进行，而不发生在SiO2层的外表层； 热氧化是通过扩散与化学反应来完成的，氧化反应是由硅片表面向硅片纵深依次进行的，硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚 热氧化动力学（迪尔-格罗夫模型） 氧化剂输运---气体输运流密度用F1表示 F1=hg(Cg-Cs) 固相扩散： 化学反应： 热氧化是在氧化剂气氛下进行：O2流密度不变，即准平衡态稳定生长： F1=F2=F3 求解 4.2.4 热氧化生长速率 两种极限情况 4.2.5影响氧化速率的各种因素 实测值 在两种极限情况下：长时间氧化或氧化时间很短，实测值和计算值吻合。 影响氧化速率因素 温度 影响很大， H, h,D,ks都与温度有关。 气体分压 提高反应器内氧气或水汽的分压能提高线性氧化速率。有高压氧化和低压氧化技术。 硅晶向 对氧化速率略有不同，（111）晶向速率最快，（100）晶向速率最慢。 掺杂 掺杂浓度越高氧化速率越快，将此现象称为增强氧化。 温度对氧化速率的影响 气体分压对氧化速率的影响 氧化剂分压Pg是通过C*对B产生影响：B∝Pg 硅衬底的晶向对氧化速率的影响 不同晶向的衬底单晶硅由于表面悬挂键密度不同，生长速率也呈现各向异性。 空间位阻 （Steric Hindrance） 掺杂情况对氧化速率的影响 线性和抛物型氧化速率常数对存在于氧化剂中或存在于硅衬底中的杂质敏感。 磷在较低温度增强氧化明显，而硼在低温时增强氧化不明显，高温明显。钠、水汽、氯都能