新型前栅极CNT的研究.pdfVIP

· 场 发 射 与 真 空 微 纳 电 子 会 议 专 辑 · 新型前栅极 CNT．FED的研究 储开荣，狄云松 ，陈 静 ，杨夏喜 ，雷 威 ，张晓兵 (东南大学 电子工程系，江苏 南京 210018) StudyontheNovelNormal-GateCNT-FED CHU Kai—rong，DIYun—song，CHEN Jing，YANG Xia—xi，LEIW ei，ZHANG Xiao—bing (DepartmentofElectronicEngineering，SoutheastUniversity，Nanjing210018，China) Abstract：ThefieldemissionosurceoftraditionaInormaIgateFED can beeasilydestroyedbecauseofthe laterfabricationofdielectriclayerandgate．Moreover。cathodeemissionisquiteesnsitivetostructureparameters suchasdielectriclayer’thickness，anodevoltageandgateaperture；therefore，itishardtoguaranteetheemis— sionuniformity．ThispaperintroducesastructuresimilartoHOPonetooslvetheaboveproblems．Carbonnan— otubecathodesareformedbyscreen—printing，anddielectriclayerorgatearenolongerneeded．Therefore，the problem ofemissionosurcebeingdestroyedisoslved．Vacuum gapbetweencathodeandgatewhichhasahigher insulationreplacesdielectriclayer，os itcanbedecreased togetbettergatemodulation．Becaues glassisflatter thanordinarydielectriclayer，betteremissionuniformitycanbeobtained． Keywords：Fieldemissiondisplay；Triodestructure；Normal—gate；Carbo nnanotube；HOP glass 摘要 ：传统的前栅极场致发射显示板 由于介质层和栅极的制作在生成或制作 阴极场致发射源之后 ，在制造过程 中容易破 坏场致发射源 ；另外阴极发射对介质层厚度 、阳极 电压和调制极开 口等参数非常敏感 ，所 以器件 的发射均匀性难 以保证。为 了解决这些问题 ，引入了类似 HOP玻璃 的结构。阴极上只需要丝印碳纳米管，无需制作介质层和栅极，解决了场致发射源被 破坏 的问题 。阴极与栅极之 间真空取代了介质层 ，由于真空的绝缘性能高于介质层 ，所 以阴极与栅极之间的距离可 以减小 ， 栅极的调制效果更显著 。由于玻璃 的平整度高于一般方法制作 的介质层的平整度 ，所 以器件 的发射均匀性 比较好 。 关键词 ：场致发射显示板 ；三极结构 ；前栅极 ；碳纳米管 ；HOP玻璃 中图分类号 ：TB873 文献标识码 ：A 文章编号 ：1002—8935(2006)O1—0012—03 场致发射显示板 (fieldemissiondisplaypane1)是 电压范围约为50VL2J，可以采用商用高压驱动集成 一 种真空电子器件 ，由阴极发射的电子轰击荧光粉 电路进行驱动。 产生图像。场致发射显示的分类方法很多 ，按结构 但是普通前栅极结构也有种种缺点：在开启状 可简单地将无栅极 的称为二极管结构场致发射 ，有 态下，阴极表面场致发射电流密度分布不均匀 ，电子 栅极的称为三极管结构场致发射。按栅极位置的不 发射主要集中在阴极边缘 ，边缘场致发射 电流密度 同，可将三极管结构场致发射 显示板分为前栅