文献讲座硅的扩散剖析.pptxVIP

The diffusion of silicon atoms in stack structures of La2O3 and Al2O3硅原子在La2O3和Al2O3堆叠结构中的扩散;随着半导体器件的缩小已经迅速发展，二氧化硅的物理和化学性质的限制,遇到用于制造金属氧化物半导体场效应晶体（MOSFET）的适当材料。 由于二氧化硅不是临界厚度下的有效绝缘体，具有高介电常数的氧化物材料，例如HfO2，ZrO2或稀土金属氧化物（例如，Y2O3，Gd2O3，La2O3）被认为是绝缘的潜在候选.在各种高k氧化物中，已经研究了La2O3和LaAlO3，因为它们的高介电常数为25-30并且相对于Si具有良好的界面能带偏移值。;?;在这项工作中，我们准备了由La2O3和Al2O3交替层组成的堆叠结构。沉积的样品和经受退火处理的样品的结构和电特性是由直接与Si衬底接触的金属氧化物的界面反应来研究. Si原子从衬底扩散到金属氧化物中显示出不同的趋势，这些不同的趋势导致依赖于堆叠结构的电特性的变化 ;相关知识;2.实验;从MEIS分析，我们获得沿深度方向的元素分布的信息。 用单色Al Ka源进行X射线光电子能谱（XPS），观察金属氧化物和Si之间的界面处的化学反应。 使用反射电子能量损失光谱（REELS）研究带隙的变化作为退火温度的函数，其对于确定超薄氧化物膜中的带隙是非常有用的。 为了测量电特性，通过经由荫罩的圆形Au电极（直径= 360mm）的蒸发来制造MOS电容器。 使用探针台和对准B1500A半导体器件分析仪进行C-V测量。使用LCR计（Agilent 4980A）从1000Hz至1MHz进行电导 - 电压测量。 ;P型半导体：也称为空穴型半导体，P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂志半导体。 原子层沉积（Atomic layer deposition)：是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。 卢瑟福背散射（Rutherford Backscattering Spectrometry，RBS）：有时候被称为高能离子散射谱学（High-Energy Ion Scattering，HEIS），是一种是一种离子束分析技术，被用在材料科学中，用以分析、测量材料的结构和组成。 MEIS是卢瑟福背散射光谱（RBS）的高分辨率版本，其产生元素信息和深度信息。;X射线光电子能谱技术（XPS）：是电子材料与元器件显微分析中的一种先进分析技术，能为电子材料研究提供各种化??物的元素组成和含量、 化学状态、分子结构、 化学键方面的信息。它在分析电子材料时，不但可提供总体方面的化学信息，还能给出表面、微小区域和深度分布方面 的信息。 库伦散射：是指带电粒子入射到物质中受到物质原子核库伦电场作用产生偏转而散开的现象。 ;谢谢大家