2晶体管的高频等效电路.ppt

一、晶体管完整的混合?模型 晶体管结构示意图 晶体管的h参数等效电路 考虑跨导的h参数等效电路 考虑极间电容后的混合?模型 二、晶体管简化的混合?模型 用密勒转换把C?拆分为C?’和C?’’ C?’和C?’’与C?的关系 对C?’作用的分析 三、混合?模型的主要参数 1、rbb’ 2、rb’e’ 3、gm 总结 结束页 * 封面 广州·白云山·红叶 返回 引言 从晶体管的物理结构出发，考虑发射结和集电结电容的影响，就可以得到在高频信号作用下的物理模型 ，称为混合 ? 模型 。由于晶体管的混合 ? 模型与第二章介绍的 h 参数模型在低频信号作用下具有一致性 ，因此 ，可用 h 参数来计算混合 ? 模型中的某些参数，并用于高频信号作用下的电路分析。 前言 本页完 返回 晶体管结构示意图 晶体管的高频等效模型 继续 本页完 一、晶体管完整的混合?模型 rbb rb’e’ Cb’e’ c e b b rc为集电区体电阻，数值很小可忽略。 集电结电容,数值很小。 (C?) Cb’c’ rb’c’为集电结电阻。 rbb’为基区体电阻。 rb’e’为发射结电阻。 re为发射区体电阻，数值很小可忽略。 发射结电容,数值很小。 (C?) N N P rb’c’ 一、晶体管完整的混合?模型 晶体管的高频等效模型 继续 本页完 为了研究晶体管的电容效应对频率的影响。先画出晶体管h参数等效电路. rbb rb’e’ c e b b (C?) (C?) N N P rb’c’ rbb’ 和rb’e’ 的串联值就是 h 参数等效电路中的晶体管输入电阻rbe。 晶体管结构示意图 借鉴 h 参数 绘出等效电路 考虑到集电结电阻rb’c’横跨cb’间，亦把此电阻画在图上。 rb’c’ b c + - - - + + rbb rb’e’ rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · ?Ib’ · e Ic · Ib’ · b 因为有 rb’c’ 的分流作用，此时受控电流源不受Ib 控制而受Ib’ 控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e’ 控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。 一、晶体管完整的混合?模型 晶体管的高频等效模型 继续 本页完 为了研究晶体管的电容效应对频率的影响。先画出晶体管h参数等效电路. rbb rb’e’ c e b b (C?) (C?) N N P rb’c’ 晶体管结构示意图 借鉴 h 参数 绘出等效电路 考虑到集电结电阻rb’c’横跨cb’间，亦把此电阻画在图上。 因为有 rb’c’ 的分流作用，此时受控电流源不受Ib 控制而受Ib’ 控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e’ 控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。 b c + - - - + + rbb rb’e’ rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · e Ic · b rb’c’ gmUb’e · C?横跨在集电结电阻rb’c’两端。 晶体管的高频等效模型 继续 本页完 rbb rb’e’ c e b b (C?) N N P rb’c’ 这个电路就是晶体管混合?模型。 晶体管结构示意图 借鉴 h 参数 绘出等效电路 b c + - - - + + rbb rb’e’ rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · e Ic · b 因为有 rb’c’ 的分流作用，此时受控电流源不受Ib 控制而受Ib’ 控制，分析起来不大方便，所以也改写为受Ub’e’ 控制，成为压控电流源，控制能力也由?改为跨导gm。 gmUb’e · C? C?横跨在发射结电阻rb’e’两端。 (C?) rb’c’ C? 一、晶体管完整的混合?模型 晶体管的高频等效模型 继续 本页完 b c + - - - + + rbb rb’e’ rce Ube · Ub’e · Uce · Ib · e · b 由h参数等效电路知， rce 非常大，对Ic 的分流作用很小，可忽略。 gmUb’e · C? rb’c’ C? 一、晶体管完整的混合?模型 二、晶体管简化的混合?模型 晶体管完整的混合?模型 Ic rb’c’是集电结反偏时的电阻，其阻抗远大于C?的容抗，亦可看成开路忽略其作用。 b + - - - + + rbb rb’e’ Ube · Ub’e · Uce · Ib · · b gmUb’e · C? C? Ic c IC? · 简化后晶体管的混合?模型 晶体管的高频等效模型 继续