IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项.pdfVIP

技术平台 科科技经济市场科技经济市场科技经济市场科技经济市场科技经济市场技经济市场 IR2181S 驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项 李文谨 （安徽新华学院电子通信工程学院，安徽合肥 230088） 三相全桥技术具有应用广泛，控制方便，电路简单等特点，因此，广泛应用于逆变电源，变频技术，电力电子等相关 摘 要： 领域，但其功率MOSFET 以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关，如MOSFET 的驱动电路设计不当， MOSFET 很容易损坏，因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR21 81 S 组成的电路，并设计了具体的电路，为提高 MOSFET 的可靠性作一些研究，以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。 IR21 81 S 驱动芯片；MOSFET；全桥电路；自举电路设计；吸收电路 关键词： IR2181S 的结构和驱动电路设计 考基准，电位浮在母线上，当上端开通时IR2181S 通过自举电路 IR2181S 是IR 公司研发的一款专用驱动芯片电其内部结 （C4 ，C5）将电压举升到栅极开启电压值。其电压值约为： 构参考图 1：主要由：低端功率晶体驱动管，高端功率晶体驱动 U =U +15V G 母线 管，电平转换器，输入逻辑电路等组成。 图1 IR2181S 优点是可靠性高，外围电路简单。它驱动的 MOSFET 高压侧电压可以达到600V，最大输出电流可达到1.9A （高端）2.3A （低端）。 具体设计电路时如将MOSFET 或IGBT 作为高压侧开关 图2 （漏极直接接在高压母线上）需在应用的时候需要注意以下几 上述电路中（以Q2 为例）电容C4 ，C5 和自举二极管组成的 点： 泵电路，其中自举电容和自举二极管等参数都是要经过精密计 （1）栅极电压一定要比漏极电压高10- 15V，作为高压侧开 算的，其工作原理和计算方法如下： 关时，栅极电压是系统中电压最高的。 （1）工作原理：当电路工作时Vs 被拉倒地（输出接负载） （2）栅极电压从逻辑上看必须是可控制的，低压侧一般是以 +15V 通过二极管给自举电容C4 ，C5 充电也因此给Vs 一个工 地为参考点的，但在高端是就必须转换成高压侧的源极电位，相 作电压满足了电路工作。 当于将栅极驱动的地悬浮在源极上，所以在实际应用中栅极控 （2）参数设计：计算电容参数时应考虑到以下几点， 制电压是在母线电压之间浮动的。 ①MGT 栅极电荷； （3）栅极驱动电路吸收的功率不会显著影响整个电路的效 ②高压侧栅极静态电流； 率。 ③2181 内部电平转换电路电流； 图2 是以IR2181S 驱动芯片设计的三相全桥电路： ④MGT G 和S 之间的电流。（备注：因自举电路一般选择非 图2 中应用到三个IR2181S 驱动芯片每路驱动一组桥臂， 电解电容设计时电容漏电流可以忽略。） 提供高端和低端两路驱动信号（HO* ，LO*），以第一路桥臂为例 此公式给出了对自举电容电荷的最小要求； （其它同理）：IR2181S 输入是由DSP 或其他专用驱动信号发生 Q=2Qg+Iqbs/f+Qls+Icbs/f 芯片产生的高端和低端两路驱动信号，经过2181 输出同样也为 注：Qg 为高端MOSFET 栅极电荷。 两路，但经过2181 内部处理后输出的信号和输入控制信号完