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IR2181S驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项
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IR2181S 驱动芯片在全桥电路中应用设计和注意事项
李文谨
(安徽新华学院电子通信工程学院,安徽合肥 230088)
三相全桥技术具有应用广泛,控制方便,电路简单等特点,因此,广泛应用于逆变电源,变频技术,电力电子等相关
摘 要:
领域,但其功率MOSFET 以及相关的驱动电路的设计直接与电路的可靠性紧密相关,如MOSFET 的驱动电路设计不当,
MOSFET 很容易损坏,因此本文主要分析和研究了成熟驱动控制芯片IR21 81 S 组成的电路,并设计了具体的电路,为提高
MOSFET 的可靠性作一些研究,以便能够为设计人员在设计产品时作一些参考。
IR21 81 S 驱动芯片;MOSFET;全桥电路;自举电路设计;吸收电路
关键词:
IR2181S 的结构和驱动电路设计 考基准,电位浮在母线上,当上端开通时IR2181S 通过自举电路
IR2181S 是IR 公司研发的一款专用驱动芯片电其内部结 (C4 ,C5)将电压举升到栅极开启电压值。其电压值约为:
构参考图 1:主要由:低端功率晶体驱动管,高端功率晶体驱动 U =U +15V
G 母线
管,电平转换器,输入逻辑电路等组成。
图1
IR2181S 优点是可靠性高,外围电路简单。它驱动的
MOSFET 高压侧电压可以达到600V,最大输出电流可达到1.9A
(高端)2.3A (低端)。
具体设计电路时如将MOSFET 或IGBT 作为高压侧开关 图2
(漏极直接接在高压母线上)需在应用的时候需要注意以下几 上述电路中(以Q2 为例)电容C4 ,C5 和自举二极管组成的
点: 泵电路,其中自举电容和自举二极管等参数都是要经过精密计
(1)栅极电压一定要比漏极电压高10- 15V,作为高压侧开 算的,其工作原理和计算方法如下:
关时,栅极电压是系统中电压最高的。 (1)工作原理:当电路工作时Vs 被拉倒地(输出接负载)
(2)栅极电压从逻辑上看必须是可控制的,低压侧一般是以 +15V 通过二极管给自举电容C4 ,C5 充电也因此给Vs 一个工
地为参考点的,但在高端是就必须转换成高压侧的源极电位,相 作电压满足了电路工作。
当于将栅极驱动的地悬浮在源极上,所以在实际应用中栅极控 (2)参数设计:计算电容参数时应考虑到以下几点,
制电压是在母线电压之间浮动的。 ①MGT 栅极电荷;
(3)栅极驱动电路吸收的功率不会显著影响整个电路的效 ②高压侧栅极静态电流;
率。 ③2181 内部电平转换电路电流;
图2 是以IR2181S 驱动芯片设计的三相全桥电路: ④MGT G 和S 之间的电流。(备注:因自举电路一般选择非
图2 中应用到三个IR2181S 驱动芯片每路驱动一组桥臂, 电解电容设计时电容漏电流可以忽略。)
提供高端和低端两路驱动信号(HO* ,LO*),以第一路桥臂为例 此公式给出了对自举电容电荷的最小要求;
(其它同理):IR2181S 输入是由DSP 或其他专用驱动信号发生 Q=2Qg+Iqbs/f+Qls+Icbs/f
芯片产生的高端和低端两路驱动信号,经过2181 输出同样也为 注:Qg 为高端MOSFET 栅极电荷。
两路,但经过2181 内部处理后输出的信号和输入控制信号完
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