VLSI的电镀和化学机械抛光技术.pdfVIP

第 32卷 第9期 合 肥 工 业 大 学 学报 (自然科学版) VoL32No．9 2009年 9月 JOURNALOFHEFEIUNIVERSITY OFTECHNOLOGY Sept．2009 VLSI的电镀和化学机械抛光技术 唐海霞， 叶 兵， 高盼盼， 廖军和 (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009) 摘 要：从0．13／zm工艺节点开始，铜电镀 (ECP)和化学机械抛光技术 (CMP)成为VLSI(超大规模集成电 路)多层铜互连布线制备中不可缺少的工艺。铜CMP后的碟型、侵蚀等平坦性缺陷将使芯片表面厚度不均 匀，形成互连RC延迟 ，影响芯片性能和 良率；研究发现，铜 CMP后的厚度变异不只受 CMP影响，还受 ECP 后芯片厚度影响；文章介绍了ECP、CMP对铜 CMP后厚度影响的实验研究，针对CMP后厚度不均匀性的解 决方法，着重分析了基于可制造性设计的电镀和化学机械抛光技术，如基于设计规则、电镀和化学机械抛光模 型的金属填充等。 关键词：电镀；化学机械抛光；虚拟填充 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1003—5060(2009)09—1378—04 Electroplateandchemicalmechna icalpolishingtechnologyofULSI TANGHai—xia， YEBing， GAOPan-pan， LIA0Jun-he (SchoolofElectronicScienceandAppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，CNna) Abstract：Insub一130Dintechnologynodes，electro-copperplating(ECP)andchemicalmechanicalpol— ishing(CMP)afterECP havegainedbroadapplicationsinthecopperinterconnectprocess．Thesur— facedefectssuchasdishinganderosionaftercopperCMPmakethechipsurfacethicknessnon-uni- form ，which 1cadstotheRC delayandthen reducestheperformanceandyieldofchips．Thestudy findsthatthepost—CMPthicknessrangeisnotonlyinfluencedbyCMP，butitisalsoaffectedbythe post-ECPthicknessrange．Inthispaper，theexperimentalinvestigationsoftheinfluenceofECPand CMPonthepost—CMP thicknessrangeareintroduced，thecurrentsolutionsforpost-CMP thickness non-unifomr ityarepresented，andtheDFM-basedECPandCMP technologyisdiscussedindetail，such asrule-baseddummyfilling，ECPandCMPmodel—baseddummyfilling． Keywords：electroplate；chemicalmechanicalpolishing；dummyfilling 现，不同的电镀后表面图形厚度 ，将得到不同的 0 引 言 CMP后表面图形厚度 ，即电镀也会对 CMP后表 研究发现，铜 电镀和化学机械抛光都会导致 面图形均匀性产生影响，铜电镀后表面图形厚度 CMP后互连厚度变化[1]。铜 CMP后将出现 2种 差异越小，则 CMP后表面厚度差异越小。但是 主要缺陷，一种为碟