ZnO薄膜生长及声表面波性能研究_罗景庭.pdfVIP

32 1 Vol. 32 No. 1 第 卷 第 期 深圳大学学报理工版 2015 1 JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY SCIENCE AND ENGINEERING Jan. 2015 年 月  【 / Physics 】 物理 ZnO 薄膜生长及声表面波性能研究 ， ， ， ， ， ， ， 罗景庭 钟 鑫 朱茂东 古 迪 柯鹏飞 刘梓昇 钟增培 范 平 ， ， ， 518060 深圳大学物理科学与技术学院 薄膜物理与应用研究所 深圳市传感器技术重点实验室 深圳 : ， SiO ， Si 摘 要 采用传统射频磁控溅射技术 通过引入 2 缓冲层以及调节工作气压的方法 在 衬底上制 备具有高度 (1120) ZnO ． X ZnO 择优取向的 薄膜 采用 射线衍射技术和原子力显微镜分析 薄膜的晶体特 ． ， SiO ZnO / SiO / Si 性和择优取向 研究发现 引入 2 缓冲层能显著减小 2 三层结构声表面波器件的温度延迟系 (temperature coefficient of delay ，TCD)， SiO 200 nm ，ZnO (0002 ) 数 当 2 缓冲层厚度为 时 薄膜同时具有 (1120) ， TCD 2 × 10 － 6 ℃ － 1 ， ． ， 和 择优取向 且 值仅为 左右 说明器件温度稳定性佳 当工作气压降低时 2 ZnO (1120) ， (K ) ． 择优取向增强 相应的声表面波器件的机电耦合系数 也增大 在大机电耦合系数和高温 度稳定性的ZnO / SiO / Si ， Love ．