ZXGD3005E6中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

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2017-06-07 发布于浙江
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ZXGD3005E6中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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ZXGD3005E6中文资料(Diodes)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn ZXGD3005E6 10A （（PEAK）栅极驱动器）栅极驱动器SOT26 描述与应用描述与应用特点和优点特点和优点该ZXGD3005E6是一个高速非反相单门能够驱动高达10A到工作电源超快速开关射极跟随器电压高达25V MOSFET或IGBT栅极电容性负载驱动程序.随着传播延迟时间下降到10ns和相应上升/下降20ns时期. 非反相电压缓冲级宽电源电压高达25V,以减少上损失该栅极驱动器确防护MOSFET或IGBT,以减少功率损耗和失真高电流 10A峰值电流驱动到电容性负载开关应用快速切换.它非常适合充当控制器IC典型高输出阻抗为1mA低输入电流提供4A输出电流和开关期间功率MOSFET或IGBT栅极有效低阻抗之间电压缓冲器.它低输入对于上升独立控制,源库输出电压要求,高电流增益可以从低电压控制器IC,高电流驱动. 和下降时间优化引脚输出,以减轻电路板布局,尽量减少寄生超前信息走线电感坚固设计,避免闩锁或直通问题 - 近零静态电流和输出漏电流该ZXGD3005E6具有单独源和宿输出,使MOSFET或IGBT导通和关断时无铅无铅,符合符合RoHS （注（注1））间来独立地控制.此外,宽电源电压范围可以全面增强绿色绿色设备（注设备（注2）） MOSFET或IGBT,以尽量减少对通态损耗,并允许+ 15V至-5V栅极驱动电压,以防止IGBTdV / dt引起误触发.所述ZXGD3005E6已设计