低频电子电路03章(20120314).pptVIP

（4）代入数值，计算得 依据与晶体管类似，可判断该该场效应管处于非饱和区工作，于是根据非饱和区 近似为零的情况，可得 第三章 半导体受控器件的分析 和 （1）温度变化前 3.3.2 工作点的稳定性 （2）温度升高30℃ 后 实际问题提出 ， ， 。 结论：管子靠近饱和区。 第三章 半导体受控器件的分析 保持集电极电流稳定，就可以保证CE之间电压稳定，即达到稳定放大区工作点的目的。 实际典型改进电路 ， ， 。 第三章 半导体受控器件的分析 保持集电极电流稳定，就可以保证CE之间电压稳定，即达到稳定放大区工作点的目的。 实际典型改进电路 ， ， 。 第三章 半导体受控器件的分析 实际典型工作点稳定电路原理 ， ， 。 结论：发射极电阻是稳定集 电极电流的关键。 第三章 半导体受控器件的分析 注： 关键: 即: 工作点稳定电路条件 ， ， 。 为了提高效果，希望基极电位稳定，也就是 ，即 即满足 第三章 半导体受控器件的分析 工程条件： （1） 时，等式（1）成立。 要点：电路数学目标、电路构成、分析手段、 分析结论与改进。 具体实例（1）电路数学要求 3.4 运用目标、非线性元器件的区域特性和分析方法的选取 （2）小信号分析计算 第三章 半导体受控器件的分