07模电期中试题A.doc

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 中 考试 模拟电路基础 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2006 年 11月 11日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 30 分， 实验 0 分， 期末 60 分 一 二 三 四 五 合计 一（10分）、问答题 1．（3分）写出二极管的伏安特性方程，以此阐述二极管的单向导电性，并分别导出二极管的大信号模型和导通时的小信号模型。 2．（1分）由稳压二极管构成的最简稳压电路中，限流电阻的作用是什么？ 3．（1分）放大电路中，为什么静态工作点一般应选择在放大区的中央位置？ 4．（3分）交流小信号放大电路中，为什么需要直流通路？什么是静态工作点？为什么要稳定静态工作点？ 5．（2分）分别画出BJT的β模型和MOSFET的gm模型，并说明模型参数与静态工作点之间的关系。  二（5分）、有两类单级电压放大电路A和B，它们的交流参数如下表所示： 负载开路时的电压增益 输入电阻 输出电阻 A 50 5kΩ 50kΩ B 0.8 50kΩ 50Ω 现有一个内阻为50Ω、电压振幅为1mV的正弦电压源（假定其频率在两个放大器及其级联放大器的通带范围内）需要放大成振幅为1V的正弦电压，假设负载电阻为50kΩ。请画出最可能满足上述要求的三级放大电路（每一级放大电路都只能从单级放大电路A和B中选择）的连接框图。 三（7分）、放大电路如图1所示，已知BJT的VBE=0.7V，rbb’=0，β=100。 （1）估算静态工作点、； （2）求放大器在中频段的。 图1 四（8分）、 电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）VTN = 1V，Kn = 1mA/V2，rDS = ∞。电路参数为VDD = 8V，输入电阻Ri = 300kΩ。 设计电路参数R1、R2和RS，使IDQ = 2mA，VDSQ = 5V； 求小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。 图2 学院 姓名 学号 任课老师 选课号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 3页