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低方阻纳米银网格导电膜 pTCF iVtouch Co. 为什么iVTP 电容触控屏是最佳选择？ 不同类型透明导电膜工艺对比 实现高性能触控显示的的 关键是如何获得低方阻透明导电 材料，大尺寸触控屏对导电材料 的方阻要求50 欧/方。 现有ITO 透明导电材料方阻高（150 欧/ 方），ITO 导电玻璃（G+G ）方案， 在触控灵敏度、触控器件厚度、IC 功耗等方面，难以满足大尺寸触 控屏应用要求。红外光学触控屏 可做到很大尺寸，但触控灵敏度 低，响应慢，很难满足对复杂触 控的需求！ 2010 年苏大维格发明了一种透明导电膜的制造方法：纳米银网格透明导 电膜（nano-silver micro-mesh transparent conductive film）制造方法，其表面电阻 （sheet resistance ）~ 10 欧/方，透明度（transparency ）87% 。这种“ 图形化透明 导电膜” （pTCF ）低方阻和高透明度，是高性能电容触控屏的关键材料和核心技 术。因此，纳米银网格透明导电膜批TCF 成为大尺寸电容多点触控屏的传感器 （touch sensors ）的重要来源。