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- 2017-06-07 发布于湖北
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第8章高速CMOS逻辑电路设计
第8 章 高速CMOS 逻辑电路设计
第8 章 高速CMOS 逻辑电路设计
本章目录
8.1 门延时
8.2 驱动大电容负载
8.3 逻辑努力(Logical Effort)
8.4 BiCMOS驱动器
2016-9-9 第8章 高速CMOS逻辑电路设计 1
§8.1 门延时
CMOS逻辑门的开关时间
上升时间:t t +α C
r r 0 p L
下降时间:t t +α C
f f 0 n L
2016-9-9 第8章 高速CMOS逻辑电路设计
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