第七章 W25Q16数据手册.docxVIP

带双倍SPI和四倍SPI接口的8M-bit，16M-bit和32M-bit的串行Flash存储器目 录1.一般说明52.特点53.引脚排列SOIC 208-mil64.引脚排列WSON 6×5-mm65.引脚描述SOIC208-mil和WSON 6×5-mm66.引脚排列 SOIC 300-mil77.引脚描述 SOIC 300-mil77.1.封装类型87.2.片选端（/CS）87.3.串行数据输入、输出和IOs（DI、DO和IO0、IO1、IO2、IO3）87.4.写保护（/WP）87.5.保持端（/HOLD）87.6.串行时钟（CLK）88.结构框图89.功能描述99.1.SPI总线操作99.1.1标准SPI操作指南99.1.2双倍SPI操作指南109.1.3四倍SPI操作指南109.1.4保持端功能109.2.写保护109.2.1写保护特点1010.控制和状态寄存器1010.1.状态寄存器1010.1.1忙信号1010.1.2写使能（WEL）1010.1.3块保护位（BP2、BP1和BP0）1010.1.4顶部/底部保护（TB）1010.1.5扇区/块保护（SEC）1010.1.6状态寄存器保护（SRP1、SPR0）1010.1.7四倍使能（QE）1010.1.8状态寄存器保护1010.2.操作指南1010.2.1制造商和芯片标识1010.2.2指令表11010.2.3指令表21210.2.4允许写入（06h）1210.2.5禁止写入（04h）1210.2.6读状态寄存器1（05h）和状态寄存器2（35h）、1210.2.7写状态寄存器（01h）1210.2.8读数据（03h）1210.2.9快速读数据（0Bh）1210.2.10双倍快速读输出（3Bh）1210.2.11四倍快速读数据（6Bh）1210.2.12双倍快速读I/O（BBh）1210.2.13四倍快速读I/O（EBh）1210.2.14页编程（02h）1210.2.15四倍输入页编程（32h）1210.2.16扇区擦除（20h）1210.2.1732KB块擦除（52h）1210.2.1864KB块擦除（D8H）1210.2.19全片擦除（C7h/60h）1210.2.20暂停擦除（75h）1210.2.21恢复擦除（7Ah）1210.2.22低功耗（B9h）1210.2.23高性能模式（A3h）1210.2.24解除低功耗或者高性能模式/芯片ID（ABh）1210.2.25读取制造商/芯片ID（90h）1210.2.26读取唯一ID（1）1210.2.27JEDEC ID（9Fh）1210.2.28状态位复位（FFh或者FFFFh）1211.电气特性（初步的）（4）1211.1.最大绝对值范围（1）1211.2.工作范围1311.3.耐久度和数据保留1311.4.禁止写临界值1311.5.DC电气特性1311.6.AC测量环境1311.7.AC电气特性1311.8.串行输出时序1311.9.输入时序1311.10.保持时序1312.封装说明1313.命名规则1313.1.有效的产品编号和顶面标记1314.修订历史13一般说明W25Q80(8M-bit)，W25Q16(16M-bit)和W25Q32(32M-bit)是为系统提供一个最小的空间、引脚和功耗的存储器解决方案的串行Flash存储器。25Q系列比普通的串行Flash存储器更灵活，性能更优越。基于双倍/四倍的SPI，它们能够可以立即完成提供数据给RAM，包括存储声音、文本和数据。芯片支持的工作电压2.7V到3.6V，正常工作时电流小于5mA，掉电时低于1uA。所有芯片提供标准的封装。W25Q80/16/32由每页256字节，总共4,096/8,192/16,384页组成。每页的256字节用一次页编程指令即可完成。每次擦除16页（扇区）、128页（32KB块）、256页（64KB块）和全片擦除。W25Q80/16/32有各自的256/512/1024个可擦除扇区和16/32/64个可擦除块。最小4KB扇区允许更灵活的应用去要求数据和参数保存（见图2）。W25Q80/16/32支持标准串行外围接口（SPI），和高速的双倍/四倍输出，双倍/四倍用的引脚：串行时钟、片选端、串行数据I/O0(DI)、I/O1(DO)、I/O2(WP)和I/O3(HOLD)。SPI最高支持80MHz，当用快读双倍/四倍指令时，相当于双倍输出时最高速率160MHz，四倍输出时最高速率320MHz。这个传输速率比得上8位和16位的并行Flash存储器。HOLD引脚和写保护引脚可编程写保护。此外，芯片支持JEDEC标准，具有唯一的64位识别序列号。特点●SPI串行存储器系列●灵活的4KB扇区结构-W25Q80:8M位/1M字节(1,