12双端MOS电容结构课题.pptVIP

* XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1) 零栅压情形 理想MOS电容： 绝缘层是理想的，不存在任何电荷； Si和SiO2界面处不存在界面陷阱电荷； 金半功函数差为0。 系统热平衡态，能带平，表面净电荷为0 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2) 小的正栅压情形 (耗尽层) 小的正栅压：多子耗尽， 表面留下带负电的受主离子，不可动，且由半导体浓度的限制，形成负的空间电荷区。 能带变化： P衬表面正空穴耗尽，浓度下降，能带下弯， 注意：正栅压↑，增大的电场使更多的多子耗尽， xd↑，能带下弯增加 xd：空间电荷区（耗尽层、势垒区）的宽度。 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2) 大的正栅压情形 (反型层+耗尽层) 大的正栅压： 能带下弯程度↑，表面 EFi 到 EF下，表面具n型。 P衬表面Na-面电荷密度↑，同时P衬体内的电子被吸引到表面，表面出现电子积累，反型层形成。 注意：栅压↑反型层电荷数增加，反型层电导受栅压调制。 阈值反型后， xd↑最大值XdT不再扩展。 * XIDIAN UNI