机电一体化控制量输出接口.pptx

第三章接口设计 第三节 控制量输出接口中的功率接口设计;;;晶闸管;单向晶闸管（SCR）;单向晶闸管（SCR）;单向晶闸管（SCR）;单向晶闸管（SCR）;单向晶闸管（SCR）;单向晶闸管应用（做控制器件）; 晶闸管应用（做控制器件）;工作原理;;双向晶闸管（TRIAC）;双向晶闸管（TRIAC）; 双向可控硅可广泛用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和固态接触器电路中。;门极可关断晶闸管（GTO）;门极可关断进闸管（GTO）;光控晶闸管与温控晶闸管;光控晶闸管的特点及应用; 是一种小功率晶闸管，它的输出电流100mA左右。是一种温敏器件，和普通晶闸管具有相同的开关特性，并且与热敏电阻、PN结温度传感器相比有许多优点。温控晶闸管的温度 特性是负特性，当温度越高时，正向开关门槛电压越低。在温控晶闸管的阴极电压 固定时，温度升到某一个值，温控晶闸管就会导通，温度继续上升，温控晶闸管保持导通，如 果温度下降到某一个值，则温控晶闸管又会变成截止。可见，用温控晶闸管可实现温度的开关 控制。在温控晶闸管的门极和阳极或阴极之间加上适当器件，如电位器，光敏管，热敏电阻等，可以改变晶闸管的导通温度值。温控晶闸管一般用于50V以下低压场合。;温控晶闸管的应用; 1. 知道功率晶体管的特点 2.掌握功率晶体管的应用;功率晶体管的特点; 功率晶体管和人们心目中的“大功率晶体管”不同，从本质上讲，它不是一个管子，而是一个多管复合结构，其功率可高达几千瓦。由于采用了复合结构，使功率晶体管有较大的电流放大系数。图3—42中二极管VD1是加速二极管，在输入端b的控制信号从高电平变成低电平的瞬间，二极管VD1导通，可以使VT1的一部分射极电流经过VD1流到输入端b，从而加速了功率晶体管集电极电流的下降速度，即加速了功率晶体管的关断。;;功率晶体管的应用;注意: 当功率晶体管工作在开关状态时，其基极输入电流应选得大些，否则，晶体管会增加自身压降来限制其负载电流，从而有可能使功率晶体管超过允许功率而损坏。这是因为晶体管在截止或高导通状态时，功耗都很小，但在开关过程中，晶体管可能同时出现高电压，大电流，瞬态功耗会超过静态功耗好几十倍，如果驱动电流太小，会使晶体管陷入开关过渡的危险区。;功率场效应晶体管（MOSFET）; 功率场效应晶体管又称功率MOSFET，是在大功率范围应用的场效应晶体管，在机电系统应用中，它有着比双极型功率晶体管更好的特性。其特点如下：;功率场效应晶体管（MOSFET）;固态继电器（SSR）; 图3—47为8031单片机通过固态继电器控制一交流接触器的控制裁路。 当8031的P1.0输出高电平时，固态继电器SSR导通，交流接触器K吸合，主电路导通；当P1.0输出低电平时，固态继电器截止，交流接触器断开，主电路关断。 目前国产SSR的驱动电流一般为0.5~20mA，最小工作电压3V，故可直接由TTL器件驱动。;（二）光电耦合器驱动接口设计;1.光电耦合器的结构和特点;特点 1）光电耦合器的信号传递采取电——光——电的形式，发光部分和受光部分不接触，因此其绝缘电阻可高达1010欧姆以上，并能承受2000伏以上的高压。被耦合的两部分可以自成系统不“公地”，能够实现电控系统强电部分与弱电部分隔离，避免干扰由输出通道窜入控制微机。 ;2） 光电耦合器的发光二极管是电流驱动器件，能 够吸收尖峰干扰信号，所以具有很强的抑制噪声干扰能力。 3） 光电耦合器作为开关应用时，具有耐用，可靠性高和告诉等优点，响应时间一般为微秒以内，高速型光电耦合器的响应时间有的甚至小于10ns.;2.晶体管输出型光电耦合器驱动接口设计;光电耦合器的两个参数：电流传输比CTR与时间延迟 电流传输比是指光电晶体管的集电极电流IC与发光二极管的电流 If 之比，不同结构的光电耦合器的电流传输比相差很大，比如输出端是单个晶体管的光电耦合器4N25的电流传输比CTR?20％，而输出端使用达林顿管的光电耦合器4N33的电流传输比CTR ? 500％。电流传输比受发光二极管的工作电流 If 影响，当If为10～20mA时，电流传输比最大。 另外，工作温度升高时电流传输比也会下降。 时间延迟是指光电耦合器在传输脉冲信号时，输出信号与输入信号间的延迟时间。; 晶闸管输出型光电耦合器的输出端是光敏晶闸管或光敏双向晶闸管。光电耦合器的输入端有一定的电流流入时，晶闸管即导通，有的光电耦合器的输出端还配有过零检测电路，用于控制