第四章-存储器02-主存储器与CPU精品.ppt

1）集中式刷新 在2ms内按存储容量集中安排刷新时间（刷新期间停止读/写操作） 如果对（128*128）矩阵存储器进行刷新，在读写操作 3872次后 集中刷新，已知该存储器的读写周期 T=500ns（读一行的时间） （刷新一行的时间=读一行的时间） 1 ms 毫秒 =1000 us微秒 1 us 微秒 =1000 ns 豪微秒 R/W R/W … R/W 刷新 … 刷新 读/写操作 共 3872T，1936us 刷新 共128T ，64us 2ms 500ns*128=64000ns=64us， 此段时间CPU不能访问存储器。500ns*3872=1936000ns=1936us 1936+64=2000us=2ms 死区 3.5、主存储器的刷新 2）分散式刷新 把存取周期分成两部分。一半读写一半刷新，一个周期刷一行。 （如果CPU存取周期是主存存取周期的二倍，使用此方法好） 对128*128矩阵，读写周期T=500ns，则需要128个周期才能 把全部单元刷新完毕，但是中间还有128个CPU存取周期。 R/W 刷新 R/W 刷新 … R/W 刷新 R/W 刷新 刷新间隔 1