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第 章 雙極電晶體數位電路 1565 17 　 描述 TTL 邏輯電路中輸入電晶體之操作和特性。 分析並設計 TTL NAND 邏輯閘。 描述蕭基電晶體之操作和特性，並分析與設計蕭基 TTL 邏輯電路。 復習問題 1. 畫出基本之雙極電晶體差動放大器電路及其直流轉換特性，解釋 電路如何用於數位應用中。 2. 為何差動放大器電路加入射極隨耦器輸出級後，可使電路實際操 作為邏輯閘？利用參考電壓來解釋電路之操作。 3. 畫出基本 ECL 電路之電壓轉換特性曲線，並描述雜訊邊界。 4. 畫出改良式 ECL 電路，其中蕭基二極體與電路之集極部分相 接，解釋蕭基二極體之功能。 5. 解釋 ECL 電路之串接閘觀念，此架構之優點為何？ 6. 畫出二極體−電晶體 NAND 電路，解釋電路之操作及最小 β 之觀 念與下拉式電阻之功能。 7. 解釋 TTL 電路中輸入電晶體之操作及功能。 8. 畫出基本的 TTL NAND 電路並解釋其操作。 9. 畫出圖騰柱輸出級，解釋其操作及將此電路整合於 TTL 電路之 優點。 10. 當輸出為低電位時，如何由輸出電晶體需維持在飽和態之條件求 得最大扇出。 11. 當輸出為低電位時，如何由輸出電晶體之最大標示集極電流求得 最大扇出。 12. 解釋蕭基嵌位電晶體之操作，其優點為何？ 13. 蕭基 TTL NAND 閘比起普通 TTL NAND 閘之優勢為何？ 14. 畫出低功率蕭基 TTL NAND 電路，此電路與本章先前所討論之 DTL 電路有何差異？ 15. 畫出基本之 BiCMOS 反相器，解釋其操作及其比起簡單 CMOS 反相器之優點。 16. 畫出 BiCMOS NAND 邏輯電路並解釋其操作。 1566 微電子學 問題 [注意：下列問題中，除非另外說明，我們均假設電晶體和二極體參 數如表 17.3 所列，T = 300 K 。] 17.1 節 射極耦合邏輯 (ECL) 17.1 如圖 P17.1 之差動放大器所示，忽略基極電流。(a) 當 v = I −1.5 V 時，計算 i 、v 和 v ；(b) 當 v = 1.0 V 時，計算 i E O1 O2 I E 和 vO2 ；(c) 求出 RC 1 ，使得vO1 之邏輯 0 準位與 vO2 之邏輯 0 準位相同。 圖P17.1 圖P17.2 17.2 如圖 P17.2 之電路所示，忽略基極電流。(a) 求出 RC 2 值，使 得 v 之最小值 = 0 ；(b) 當 v = 1 V 時，求出 R 值，使得 v