微机原理及接口技术6章.ppt

随机存取存储器RAM ①静态RAM（Static RAM，SRAM） 静态RAM：用4~6个MOS管构成的触发器作为基本存储单元；因此，集成度较低，成本也较高； 由电路的结构保证存储的信息不会丢失（不停电时）； 由于不需要刷新，工作速度较高 一般用于规模较小的快速存储器。 随机存取存储器RAM ②动态RAM（Dynamic RAM，DRAM） 动态RAM：由一个MOS管组成基本存储单元，依靠MOS管的栅极电容来存储信息，因为栅极电阻高，使信息可以在栅极上保留一段时间； 但栅极电容上的信息还是要丢失的，因此动态RAM需要定时地刷新； 由于集成度高，成本低，适合制作大规模和超大规模集成电路。 只读存储器ROM ROM的分类和特点： 掩摸ROM，用掩摸改变MOS管的连接，也就是改变芯片存储的信息。适于成批生产。 可编程ROM，即PROM。可以现场写入信息，但只能写入一次。 可擦除可改写的EPROM。可多次擦除，多次改写。有用紫外线擦除的UVEPROM和用电擦除改写的EEPROM，或称E2PROM。 半导体存储器的主要性能指标 存储容量：半导体存储器芯片的存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量 用N×M表示，N为存储单元数，M为每个存储单元存储信息的位数。 例6-1 某存储器芯片的地址线为16位，存储字长为8位，则其存储容量为多少？ 解：若某存储器芯片有M位地址总线、N位数据总线其存储容量为2M×N位。该存储器芯片中M为16位，N为8位，则其存储容量为216×8位=64K×8位。 半导体存储器的主要性能指标 存储速度 可以用两个时间参数表示： 存取时间（Access Time）TA，定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间。 存储周期（Memory Cycle）TMC，定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。 半导体存储器的主要性能指标 可靠性 存储器的可靠性用平均故障间隔时间（MTBF，Mean Time Between Failures）来衡量，MTBF越长，可靠性越高。 性能价格比 半导体存储器的结构 随机存储器（RAM） 静态随机存储器（SRAM） 典型的静态RAM芯片 典型的静态RAM芯片如HM 6116（2K×8位），6264（8K×8位），62128（16K×8位）和62256（32K×8位）等。 6116 6116是一种2048×8位的高速静态CMOS随机存取存储器，其基本特征是： （1）高速度 存取时间为100?ns/120?ns/150?ns/200?ns（分别以6116——10、6116——12、6116—15、6116—20为标志。 （2）低功耗 运行时为150?mW，空载时为100?mW。 （3）与TTL兼容。 （4）管脚引出与标准的2K×8b的芯片（例如2716芯片）兼容。 （5）完全静态——无需时钟脉冲与定时选通脉冲。 SRAM 6116的引脚 SRAM 6116的工作方式  SRAM 6116的内部功能框图 静态RAM的结构 SRAM 6264 容量为8K×8位 地址线13条，即A12~A0； 数据线8条即I/O8~I/O1 SRAM 6264 6264运行方式 随机存储器RAM 静态RAM 静态RAM的引脚： 数据线：由RAM的位数决定； 地址线：由RAM的单元数决定； 控制线：CE：片选，有效时，芯片才工作； WE：读写控制，为0时写，为1时读； OE：输出控制，为0时，允许输出。 和CPU的连接。 动态随机存储器（DRAM） 信号存储在电容Cs上。 行选择信号有效时可以刷新，也可以读出，但读出时必须列选择信号也有效。 破坏性读出 为使Cs上读出后仍能保持原存信息（电荷），刷新放大器需要对这些电容进行重写操作，以补充电荷使之保持原信息不变----回写（刷新）。 典型的动态RAM芯片 DRAM芯片都设计成位结构形式，即每个存储单元只有一位数据位 一个芯片上含有若干字，如4K×1位，8K×1位，16K×1位， 64K×1位或256K×1位等。 存储体的这一结构形式是DRAM芯片的结构特点之一。 DRAM——Intel 2164 Intel 2164是64K×1位的DRAM芯片， 基本特征： （1）存取时间为150?ns/200?ns（分别以2164A-15、2164A-20为标志）。 （2）低功耗，工作时最大为275?mW，维持时最大为27.5?mW。 （3）每2?ms需刷新一遍，每次刷新512个存储单元，2?ms内需有128个刷新周期。 Intel 2164A的引脚 动态RAM 位数都是1位； 地址引脚只是实际地址线的一半。 为保证地址正确读入，有行、列地址控制输入CAS和RAS