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思考题与习题
10 -3
2.1 温度为 300K 的本征硅半导体载流子浓度为 n = 1.45¥ 10 cm ，禁带宽度为 1.12eV ，计
i
15 -3
算掺入 10 cm 硼原子后硅中电子和空穴的浓度以及费米能级。
15 -3
解：空穴浓度为 p = N + n ª N = 10 cm
a a
2
n
i 5 -3
电子浓度为 n = = 2.10¥ 10 cm
N
a
N
a
P 型半导体的费米能级为 E = E - kTln( )
f i
n
i
N 15
10
a
E - E = -kTln( )= -(0.0259ev)ln( )= -0.29ev
f i 10
n 1.45¥ 10
i
E + E
E = C V = 0.56ev
i
2
E - E = 0.56+ 0.29= 0.85ev
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