第2节 半导体基础知识 II 2014.10.10.ppt

? 与微观量的关系： 设 n为单位体积内电子密度。 导体在外电场 中，电子在 杂乱无章的热运动上叠加一 个沿场强反方向上的定向漂 移，设漂移速度为 。在 时间内穿过 面的电子数, 即电量为： 欧姆定律的微分形式及金属导电的经典微观解释 载流子的漂移运动和迁移率 漂移运动和漂移速度 有外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿着电场的反方向作定向运动形成电流。 电子在电场力作用下的定向运动称为漂移运动，定向运动的速度称为漂移速度。 电子和空穴是带电荷的，做漂移运动时会形成电流。 由漂移运动形成的电流称为漂移电流。 * 1. 漂移运动 迁移率μ：电子在单位电场作用下的漂移速度 * 漂移电流与电导率 1.漂移电流 n型半导体， np, σ=neμn; p型半导体， pn,, σ= peμp; 本征型半导体， n=p=n,σ= ne(μn+μp) * 爱因斯坦关系 迁移率μ、扩散系数D反应相同的物理机制 电流密度方程与爱因斯坦关系式 迁 移 率：反映载流子在电场作用下运动难易程度 扩散系数：反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度 由迁移率计算出扩散系数 由扩散系数计算出迁移率 * * * * * * * 在导体内： 自由移动的电子 在半导体中：电子或空穴 在电解液中：正、负离子 气体中： 正、负离子，或自由电子。 * * * 可见，当光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数等于该物质的吸收系数α，即 另外，根据电动力学理论，平面电磁波在物质中传播时，其电矢量和磁矢量都按指数规律 exp(-ωμxc-1)衰减。 乘积的实数部分应是辐射通量随传播路径x的变化关系。即 式中，μ称为消光系数。 由此可以得出 半导体的消光系数μ与入射光的波长无关，表明它对愈短波长的光吸收愈强。 （1-29） （1-28） 当不考虑反射损失时，吸收的光通量应为 半导体对光的吸收 在不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由运动的自由电子。 同时，在价带中留下一个 自由空穴，产生电子-空穴 对。如图1-9所示，半导体 价带电子吸收光子能量跃 迁入导带，产生电子空穴 对的现象称为本征吸收。 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 由此，可以得到发生本征吸收的光波长波限 （1-30） （1-31） 只有波长短于的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 2.杂质吸收 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量hv。若hv大于等于施主电离能ΔED，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 同样，P型半导体中，价带上的电子吸收了能量hv大于ΔEA（受主电离能）的光子后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 （1-32） （1-32） 由于EgΔED或ΔEA ，因此，杂质吸收的长波长总要长于本征吸收的长波长（杂质吸收的波长阈值多在红外区或远红外区）。杂质吸收会改变半导体的导电特性，也会引起光电效应。 3. 激子吸收 当入射到本征半导体上的光子能量hv小于Eg，或入射到杂质半导体上的光子能量hv小于杂质电离能（ΔED或ΔEA）时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。这种处于受激状态的电子称为激子。吸收光子能量产生激子的现象称为激子吸收。显然，激子吸收不会改变半导体的导电特性。 4. 自由载流子吸收 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高时，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增强(表现为红外吸收)。这是由自由载流子在同一能带内的能级间的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。自由载流子吸收不会改变半导体的导电特性。 5. 晶格吸收 晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。 以上五种吸收中，只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会