第5节 存储器.ppt

5.2.3 高速缓冲存储器 1.高速缓冲存储器的使用 随着CPU速度的不断提高，DRAM的速度难以满足CPU的要求，CPU访问存储器时一般要插入等待周期，对高速CPU来说这是一种极大的浪费。 为了使CPU全速运行，可采用CACHE技术，将经常访问的代码和数据保存到SRAM组成的高速缓冲器中，把不常访问的数据保存到DRAM组成的大容量存储器中，这样使存储器系统的价格降低，又提供了接近零等待的性能。 Cache一般由两部分组成，一部分存放由主存储器来的数据，另一部分存放该数据在主存储器中的地址。(此部分称地址标记存储器，记为Tag)。 由关联性，高速缓冲存储器结构可分为：全相联Cache 、直接映象Cache和成组相联Cache。  5.3.4 闪存 3.部分译码选择方式 将高位地址线中的几位经过译码后作为片选控制。 例如： 要设计一个8K×8的存储器系统，采用2K×8的RAM芯片4片，选用A13～A11作为74LS138的译码输入，译码输出端Y0～Y3作为片选信号，则其地址分配为： 第一片：00000～007FFH 第二片：00800～00FFFH 第三片：01000～017FFH 第四片：01800～01FFFH 由于A19 ～ A14可以任意选择，所以地址有重叠区。 若采用Y4～Y7作为片选信号，4片RAM芯片的地址分配又不同，分别为： 第一片：02000～027FFH 第二片：02800～02FFFH 第三片：03000～037FFH 第四片：03800～03FFFH 第5章 存 储 器 5.1 存储器概述 5.2 随机存取存储器RAM 5.3 只读存储器ROM 5.4 CPU与存储器的连接 习题 5.1 存 储 器 概 述 5.1.1 存储器分类 按存取速度和用途可把存储器分为两大类，内部存储器和外部存储器。 内存具有一定容量，存取速度快。内存是计算机的重要组成部分，CPU可对它进行访问。 内存主要是半导体存储器。 外存速度较慢，但存储容量不受限制，故称海量存储器。 外存主要是磁记录存储器和光记录存储器。 半导体存储器从制造工艺分为双极型、CMOS型、HMOS型等； 从应用角度分为随机读写存储器(Random Access Memory)和只读存储器(Read Only Memory) 。 随机读写存储器(RAM) 1)静态RAM (Static RAM ，SRAM) 速度非常快，只要不掉电，信息不会丢失。缺点是集成度低。 适于用作高速缓存(Cache)。 2) 动态RAM (Dynamic RAM，DRAM) 存储单元以电容为基础，电路简单，集成度高。但需定时刷新。 适用于计算机的内存。 3) 非易失RAM (Non Volative RAM，NVRAM) 由SRAM和EEPROM共同构成，正常运行时和SRAM一样，而在掉电时，它把SRAM的信息保存在EEPROM中，从而使信息不会丢失。 多用于存储非常重要的信息和掉电保护。 只读存储器ROM 非易失性，断电后数据不会消失，通常存储操作系统或固化的程序。 1) 掩膜ROM 利用掩膜工艺制造的存储器，厂家在制造器件过程中写入，不能更改。 2) 可编程ROM (Programable ROM，PROM) 由用户利用特殊方法写入。写入后不能更改。 3) 可擦除PROM (Erasable Programable ROM，EPROM) 由用户按规定的方法多次编程，如编程之后想修改，可用紫外线灯制作的擦除器照射使存储器复原，用户可再编程。 4) 电可擦PROM (Electrically Erasable PROM，EEPROM) 能以字节或块为单位擦除和改写，将可作为不易失的RAM使用。 32位微机系列配置4个存储体，分别连接数据总线D7～D0,D15～D8, D23～D16,D31～D24,一次传送32位数据；相应64位微机配置8个存储体。 5.1.3 存储器性能指标 存储容量 = 单元数×数据线位数 存取时间 指从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据所需要的时间。存取时间越小，存取速度越快。 5.1.2 存储器组织 16位微机系列配置偶奇两个存储体，分布连接数据总线D7 ～D0 和D15～D8 ，一次数据总线可传送16位数据。 5.2 随机存取存储器(RAM)