第2章 功率半导体器件复习题.pdf

第二章 功率半导体器件复习题 一、填空题 1.电力电子器件一般工作在_开关_状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_ ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主 要为_开关损耗_ 。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路、驱动电路、保护电路 三部分组成，由于电路中存 在电压和电流的过冲，往往需添加_缓冲电路_ 。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件 _ 、_复合型器件_三类。 5. 电力二极管的工作特性可概括为_单向导电特性_ 。 6. 电力二极管的主要类型有_整流二极管_ 、_快恢复二极管_ 、 _ 肖特基二极管__ 。 7. 肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.GTO 的__ 多元功率集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 9.功率晶体管 GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿 。 10.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。 11.IGBT 的开启电压U （ ）随温度升高而__下降__ ，开关速度__低于__ 电力MOSFET 。 GE th 12.功率集成电路 PIC 分为二大类，一类是 高压集成电路 ，另一类是__智能功率集成电路_ 。 _ 13.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_ 电流驱动 和_ 电压驱动_两类。 14.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是_较大的负电流_ 。 15.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速恢复_型二极管，以便与功率晶体管的开关时间 相配合。 16.IGBT 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有_ 负_温度系数， 在 1/2 或 1/3 额定电流以上 区段具有_正_温度系数。 17.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电 力 MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是__ 电力二极管__ ，属于半控型器件 的是__ 晶闸管__ ，属于全控型器件的是__ 门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管 （电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）__ ；属于单极型电力电子器件的有__ 电力场效应管（电 力 MOSFET ）_ ，属于双极型器件的有__ 电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管 （GTO ）、电力晶体管（GTR ）_ ，属于复合型电力电子器件得有 __绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）_ ；在可 控的器件中，容量最大的是_ 门极可关断晶闸管_ ，工作频率最高的是_ 电力场效应管_ ，属于电压驱动的是 __ 电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管 （IGBT ） ，属于电流驱动的是_ 电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ） 。 1 二、简答题 1.电力电子器件是如何定义和分类的？ 答：电力电子器件是可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为：半控型器件、全控型器件、不可控器件； 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为：电流驱动型、电压驱动型； 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为：单极型器件、双极型器件、复合型器件。 2.什么叫 GTR 的一次击穿?什么叫 GTR 的二次击穿? 答：处于工作状态的 GTR，当其集电极反偏电压 UCE 渐增大，电压增大至额定 BUCEO 时，集电极电流 IC 急剧增大（雪崩击穿），但此时集电极的电压基本保持不变，这叫一次击穿。发生一次击穿时，如果继 续增大 UCE ，又不限制