具有优良绝缘性能的Ta_sub_2__sub_O_sub_5__sub_介质膜.pdf

第 卷第 期 ２９ ６ 东 南 大 学 学 报 Ｖｏｌ２９Ｎｏ６ 年 月 １９９９ １１ ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ Ｎｏｖ．１９９９  具有优良绝缘性能的ＴａＯ介质膜 ２ ５ 黄蕙芬 （东南大学电子工程系，南京 ２１００９６） 摘 要 介绍了一种具有优良绝缘性能的 介质膜，它由溅射 阳极氧化二步法 ＴａＯ ? ２ ５ 工艺制备而成 用原子力显微镜（ ）对 膜进行了表面形貌分析，对它的电特 ． ＡＦＭ ＴａＯ ２ ５ 性进行了测试，并与溅射 膜和阳极氧化 膜进行了比较 结果表明：溅射 ＴａＯ ＴａＯ ． ? ２ ５ ２ ５ 阳极氧化ＴａＯ膜的漏电流比溅射ＴａＯ膜和阳极氧化ＴａＯ膜分别减少了３～４和 ２ ５ ２ ５ ２ ５ 个数量级，击穿场强也远高于后 种膜 １～２ ２ ． 关键词 绝缘特性； 介质膜；溅射 阳极氧化二步法；漏电流；击穿场强 ＴａＯ ? ２ ５ 分类号 ＴＢ３８３ 介质薄膜以其优良的绝缘性能和介电性能在半导体集成电路、薄膜混合集成电路以及一 些薄膜元器件中得到了广泛应用 不同的应用场合对介质膜的要求也不相同，用作隔离层的介 ． 质膜则要求膜具有高的绝缘性能和击穿场强 随着大规模、超大规模集成电路的发展，对介质 ． 膜的致密性、绝缘性的要求也越来越高． 介质膜的制备方法很多，有阳极氧化法、反应溅射法、射频溅射法、电子束蒸发法、化学气 相沉积等 不同的制备方法，得到的氧化钽膜的成份、结构和特性各不相同 用溅射法等大多数 ． ． 常规工艺制备的薄膜都不可避免地存在各种缺陷和孔洞，影响了介质膜的绝缘性能 为了解决 ． ［ ］ １～４ 这一问题，人们采取了各种方法 ，有效地提高了介质膜的绝缘性 近年来，我们在薄膜多功 ． 能传感器和平板显示器件的研制过程中，对 膜进行了一些研究，并采用溅射 阳极氧化 ＴａＯ ?