一种512+Kbit同步高速SRAM的设计.pdf

第 卷 第 期 固体电子学研究与进展 /1 2 A-mF/1.I-F2 年 月 /001 J =cc=CK @ B=Dj=cD8c hfF./001 一种!# 同步高速 的设计, $%’ ()*+ 叶菁华 陈一辉 郭 淦 洪志良 复旦大学微电子系 上海 - . ./001223 收稿 收改稿 /00/4054// ./00/46/402 摘要 设计了一种深亚微米 单片集成的 位 高速静态存储器 该存储器可以作为 7 . 86/ -6: ;2/ 3 - 3@ 9 9 =? 核集成在片上系统中 存储器采用六管 存储单元 锁存器型敏感放大器和高速译码电路 以期达到最 AB @ C?D E . 快的存取时间 该存储器用 五层金属单层多晶 阱 工艺实现 芯片大小为 @ 0F/8 . 1FJ ;2FJ @ GH I C?D HH HH 测试结果表明 在 的工作频率下 存储器的存取时间为 工作电流 . 60 . J . 5 @ ?KL MN H 关键词 静态存储器 敏感放大器 存取时间 7 O O 中图分类号7 126F/ 文献标识码7 文章编号7600042J6Q-/0013024288401 PI !#Y Y RSTUVWX $%’(ZV[\]WVW^T_U\T‘SSa()*+ bcdeMfghi CKcI beghe jkD jiM KDIj lgemeiMf - . . ./00122. 3 nopqrstspuqrvopwsxyquzsvu{|}yv~vo!sqou# $%yv%yo ’() 7 4 4 86/ 4 *%T’]*[’ Pg+,+NefM-.i,++/Nh0He12-MH-M-me3ge1eM3+f2i3+, 9 0e3gefgN/++, F F =? eN/2+N+M3+,eM3geN/i/+2PgeN=?