EN29LV160A中文资料(Eon Silicon)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn EN29LV160A EN29LV160A 16兆位（兆位（2048K×8位位/ 1024K×16位）闪存位）闪存 引导扇区闪存引导扇区闪存,CMOS 3.0电压只有电压只有 特征特征 3.0V,单电源工作 - 扇区擦除时间：500ms典型 - 芯片擦除时间：17.5s典型 - 最大程度降低系统级功耗要求 JEDEC标准程序和擦除 高性能 命令 - 存取时间快70纳秒 JEDEC标准数据＃投票和切换 低功耗（在5个典型值 位功能 MHz) 单扇区和芯片擦除 - 8 mA典型有效读电流 - 20毫安典型编程/擦除电流 部门撤消模式 - 不到1 µA 待机电流 嵌入式擦除和编程算法 灵活部门架构： 擦除挂起/恢复模式： - 一个16字节,两个8字节,一个32字节, 阅读,并在设置另一个部门 和3164字节扇区（字节模式） 擦除挂起模式 - 一个8-K字,两个4千字,一个16千字 三金属双聚三阱CMOS 和31 32千字部门（字模式） 闪存技术 部门防护护： 低VCC写入禁止2.5V - 硬件扇区,以防止锁定 最低1,000K编程/擦除次数 程序或在个别擦除操作 cycle 行业 封装选项 - 另外,临时机构集团 - 48针TSOP （类型1） 撤消允许先前锁定行业代码更改. - 48球6mm x8毫米FBGA 高性能编程/擦除速度 商业和工业温度 - 字节/ Word程序时间：8μs典型