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电子衍射及生长机理
电子衍射标定 电子衍射 采用波长小于或接近于其点阵常数的电子束照射晶体样品,由于入射电子与晶体内周期地规则排列的原子的交互作用,晶体将作为二维或三维光栅产生衍射效应,根据由此获得的衍射花样研究晶体结构的技术。 探测器 电子束 电子枪 镍单晶 1927年 C.J. Davisson G.P. Germer 戴维森与革末用电子束垂直投射到镍单晶,做电子轰击锌板的实验,随着镍的取向变化,电子束的强度也在变化,这种现象很像一束波绕过障碍物时发生的衍射那样。其强度分布可用德布罗意关系和衍射理论给以解释。 选区电子衍射 电子束的光路具有可逆回溯的特点。 如果在物镜的像平面处加入一个选区光阑,只有A’B’范围内的成像电子能通过选区光阑,并最终在荧光屏上形成衍射花样, 这一部分花样实际上是由样品上AB区域提供的,所以在像平面上放置选区光阑的作用等同于在物平面上放置一个光阑。 单晶 多晶 非晶 衍射花样 一般地,单晶的电子衍射图呈规则分布的斑点,多晶的电子衍射图呈一系列同心圆,非晶态物质的电子衍射图呈一系列弥散的同心圆。 (h1,k1,l1)111 200(h2,k2,l2) cosφ=3-1/2=0.577350 Φ=54.74° Ce0.95Fe0.05O2 面心立方晶面夹角 面心立方晶体标准衍射谱 (h1,k1,l1)=(-1,-1,1) (h2,k2,l2)=(-2,0,0) 带轴的确定 如果(h1k1l1)和(h2k2l2)是[uvw]晶带中的两个晶面族,则可由方程组 h1u+k1v+l1w=0 h2u+k2v+l2w=0 得出[uvw]的解是 带轴方向:[011] -11-1 11-1 02-2 [01-1] 立方晶系 等效晶向: 110 [110] [-110] [1-10] [-1-10] [101] [-101] [10-1] [-10-1] [011] [0-11] [01-1] [0-1-1] [110] Y X Z [110] [110] [001] [-110] {001} {110} [110] 示意图 {001}?{100} [110] Capping Agent Anisotropic growth 可能的棒生长机理 r{110}>r{100}>r{111} 问题? Capping agent? Fe3+ [Fe(OH)]2+ [Fe(OH)2]+ 离子扩散问题? 扩散速率
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