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【2017年整理】7_薄膜制备技术

7. 薄膜制备技术 ;2. 薄膜分类 ;(4)组成 ; 薄膜材料与器件结合,成为电子、信息、传感器、光学、太阳能等技术的核心基础。 ;7.1.2 薄膜的制备方法 ;代表性的制备方法按物理、化学角度来分,有: ; 利用蒸发、溅射沉积或复合的技术,不涉及到化学反应,成膜过程基本是一个物理过程而完成薄膜生长过程的技术,以PVD为代表。 ; ;Natural World “Atomic-World”;7.2.2 真空蒸发镀膜;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2. 工艺方法;2)电子束加热 ;3)高频感应加热 ;(2)对于化合物和合成材料,常用各种蒸发法和热壁法。 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;4)三温度蒸发; ;6)分子束外延(MBE) ;外延(Epitaxy)外延是指单晶衬底上形成单晶结构的薄膜,而且薄膜的晶体结构与取向和衬底的晶体结构和取向有关。外延方法很多,有气相外延法、液相外延法、真空蒸发外延法、溅射外延法等。 . ; 压应变(ae as) 同质外延(ae= as) 张应变(ae as ) The presence of strain can modify the physical properties of epitaxial films. The cause of strain is primarily the difference between the lattice spacing of substrate and film parallel the surface, or the “lattice mismatch”. ;?; Strain alter d spacings, while alter θvalues ;原 理: 在超高真空条件下,将各组成元素的分子束流以一个个分子的形式喷射到衬底表面,在适当的温度下外延沉积成膜。;7) 脉冲激光沉积(PLD);2. 蒸镀用途;7.2.3 溅射镀膜(sputtering deposition) ;1. 工艺原理;离子束与磁控溅射联合镀膜设备; 利用低压气体放电现象,产生等离子体,产生的正离子,被电场加速为高能粒子,撞击固体(靶)表面进行能量和动量交换后,将被轰击固体表面的原子或分子溅射出来,沉积在衬底材料上成膜的过程。;整个过程仅进行动量转换,无相变 沉积粒子能量大,沉积过程带有清洗作用,薄膜附着性好 薄膜密度高,杂质少 膜厚可控性、重现性好 可制备大面积薄膜 设备复杂,沉积速率低。;离子束与磁控溅射??合镀膜设备;3. 溅射的物理基础——辉光放电;(1)直流辉光放电;直流辉光放电的伏安特性曲线;(2)射频辉光放电;(3)电磁场中的气体放电;4. 溅射特性参数;4. 溅射特性参数;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;影响因素;② 靶材种类;④ 入射角;(3)溅射出的粒子 ;4. 几种典型的溅射镀膜方法;也称等离子弧柱溅射,在热阴极和辅助阳极之间形成低电压、大电流的等离子体弧柱,大量电子碰撞气体电离,产生大量离子。;(2)射频溅射镀膜;(3)磁控溅射镀膜;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011

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