【2017年整理】9、硅半导体材料的相关概念.pptVIP

Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;在原子核物理理论中，有以下规律： 能量的量子化 系统能量最低原理 泡利不相容原理;原子中心是一个带正电的核，核外存在着一系列不连续的、由电子运动轨道构成的壳层，电子只能在壳层里绕核转动。 在稳定状态下，每个壳层里运动的电子具有一定能量状态，所以一个壳层相当于一个能量级，称为能级。一个能级表示电子的一种运动状态。 不同支壳层的电子分别用1s；2s，2p；3s，3p，3d等符号表示。;晶体中有大量的原子集合在一起，并且原子间的距离很近，致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上去，这种现象称为电子的共有化（运动）。;孤立原子的能级;电子共有化使本来处于同一能量状态的电子产生微弱的能量差异，与此对应的能级扩展为能带。 允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不许电子占据的，此范围称为禁带。 原子壳层中的内层允许带总是被电子先占满，然后再占据能量更高的外层允许带。 被电子占满的允许带称为满带，每一个能级上都没有电子的能带称为空带。;允带;在T=0K时，电子填充能带刚好至最上的能带称为价带，价带的电子不参与导电过程。 价带之上第一个未被电子填满的能带称为导带。;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.; n 型半导体 ;空 带;没有掺杂的半导体称为本征半导体。;在单位体积中，电子和空穴的数目称为载流子浓度，它决定半导体电阻率的大小。 为了控制半导体性质，需要人为地在半导体中或多或少的掺入某些特定杂质的半导体称为杂质半导体。 在杂志半导体中，电子和空穴的数目不相等。 N型半导体——电子（多子），空穴（少子）； P型半导体——电子（少子），空穴（多子）。;在一块本征半导体上，用适当的工艺方法使一边形成n???半导体，另一边形成p型半导体，则在两种半导体的交界处形成一个p-n结。p-n结是一切半导体器件的基础。 在p型和n型半导体交界面附近产生了一个内建(电)场。;内电场的影响： 阻碍多子的扩散 P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方，使空间电荷区变窄。 扩散：空间电荷区加宽，内电场增强，利于少子漂移，不利于多子扩散； 漂移：空间电荷区变窄，内电场减弱，利于多子扩散，不利于少子漂移。 到达平衡，动态稳定，流过PN结的电流为0。;PN结具有单向导电性。 外加电压使电流从P区到N区，PN结呈低阻性，电流大，反之高阻性，电流小。;如果外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。 如果外加电压使PN结中P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 1、正偏：方向与内电场相反，削弱了内电场，扩散电流增大，扩散电流远大于漂移电流，PN结呈低阻性； 2、反偏：与内电场方向相同，加强了内电场，扩散电流减小，漂移电流大于扩散电流，PN结呈高阻性。;PN结方程：