【2017年整理】半导体二极管、三极管来料检验规程.doc

电子元器件来料检验规程（一） 半导体晶体管部分 内容 本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。 范围 本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验和验收。 引用标准 GB2828.1-2003 计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 总则 GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程 试验Cb：恒定湿热试验方法 GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 试验N：温度变化试验方法 GB4798.1 ?电工电子产品应用环境条件 贮存 检验测试设备和测试方法 测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等） 测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置 数字万用表、不锈钢镊子等应手工具 晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。 人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。 测试准备： 晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。 每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。 4.1 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT 主要测试参数： IGBT的特性曲线 IGBT的饱和压降VCES IGBT的栅极阈值电压VGE（th） IGBT的击穿电压VCER 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 4.1.1 测IGBT的输出特性曲线 按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的输出特性曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图1a所示）。否则为不合格（如图1b所示）。 图 1 4.1.2 测IGBT的饱和压降VCES 在特性曲线中选择VGE=4.5V的一条曲线，它与IC=7.0A直线的交点所对应的VC电压值就是所测试的IGBT在VGE=4.50V、IC=7.0A时的饱和压降VCES。 VCES＜3.0V为合格。否则为不合格。 4.1.3 测IGBT的转移特性曲线 按附表1“常规测试/转移特性曲线”栏、测IGBT的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的转移特性曲线。 该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段。这些线段的一端在X轴上，另一端连接起来应当是一条平滑的曲线。 4.1.4 测IGBT的栅极阈值电压VGE（th） 观测特性曲线与IC=1mA直线的交点所对应的VBE电压值，就是该IGBT在该测试温度下的栅极阈值电压VGE（th）。此时VBE=VGE（th）。 所测得的VGE（th）在该IGBT的标称栅极阈值电压范围内为合格。否则为不合格。 4.1.5 测IGBT的击穿电压VCER 按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。接入待测的IGBT并使栅极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压，此电压在该IGBT的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。 注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只IGBT的击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。 4.2 达林顿大功率NPN晶体管 主要测试参数： 达林顿晶体管的共射输出特性曲线 达林顿晶体管的饱和压降BVCES 达林顿晶体管的共射极电流放大系数β 达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 4.2.1 测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线 按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图2a所示）。否则为不合格（如图2b所示）。 图 2 4.2.2 测达林顿晶体管的饱和压降BVCES 观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线IC=6A的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的VCE值，就是该测达