【2017年整理】半导体制造流程.ppt

半导体制造流程 Ben 2016/3/15 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 目录 晶圆处理制程（Wafer Fabrication） 晶圆针测制程（Wafer Probe） 构装（Packaging） 测试制程（Initial Test and Final Test） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 晶圆处理制程概述 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件（如晶体管、电容体、邏辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达數百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄數千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘量（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随着产品种類与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沈积，最后进行微影、蚀刻及離子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 融化（MeltDown） 颈部成长（Neck Growth） 晶冠成长（Crown Growth） 晶体成长（Body Growth） 尾部成长（Tail Growth） 晶柱成长制程 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 切片（Slicing） 圆边（Edge Polishing） 研磨（Lapping） 蚀刻（Etching） 表面抛光（Surface Polishing） 边缘抛光（Edge Polishing） 抛光（Polishing） 去疵（Gettering） 晶柱切片后处理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 圆边（Edge Polishing） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 抛光（Polishing） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 硅片厚度变化 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 FAB 厂内通常可分为四大区 Photo (光刻） Etch (蚀刻) Diffusion (掺杂) Thin Film (制膜) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶圆处理制程 Photo 图形转换：将设计在光罩(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单芯片上 光刻：光刻是集成电路制造过程中最复杂和最关键的工艺之一。光刻工艺利用光敏的抗蚀涂层(光阻)发生光化学反应，结合刻蚀的方法把光罩图形复制到圆硅片上，为后序的掺杂、制膜膜