【2017年整理】1半导体器件b.pptVIP

电子技术;1.2半导体二极管 ;本章作业;　　1）受外界光照时电导率发生很大变化——光敏性； 　　2）受外界热刺激时电导率发生很大变化——热敏性； 　　3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——掺杂性。;;;结 论;杂质半导体: ;;;1.N型半导体中自由电子是多子，其中大部分是掺杂提供的，本征半导体中受激产生的自由电子只占少数。 N型半导体中空穴是少子，少子的迁移也能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。;;内电场方向;;1、空间电荷区中没有载流子又称耗尽层。;1.2 半导体二极管;伏安特性;半导体二极管的参数; 试求下列电路中的电流。（二极管为硅管）; 已知VA=3V， VB=0V， VDA 、VDB为锗管，求输出端Y的电位并说明二极管的作用。 ;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点??断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;;二极管限幅电路:已知电路的输入波形为 vi ,二极管的UD 为0.6伏，试画出其输出波形。;理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。;理解PN结的单向导电性； 2.了解二极管的基本构造、工作原理; 掌握二极管的特性曲线，理解主要参数的意义； 3.会分析含有二极管的电路；;1.3 特殊二极管;3. 主要参数;稳压二极管的应用;UZW=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) ;光电二极管;频率：;晶体三极管的结构与符号;三极管放大的外部条件; 测量晶体管特性的实验线路;各电极电流关系及电流放大作用;;;;1.放大区（线性区）;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:; 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。; 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。; 测量放大电路中的三极管三个电极对地电位，试判断三极管管脚、类型、材料。; 测量放大电路中的三极管两个电极的电流，试判断三极管管脚、类型。;半导体三极管的主要参数;在UCE= 6 V时，在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A,IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流 ICBO;;本课应重点掌握的内容;;;;结 束;;