【2017年整理】6半导体二极管及整流电路及三极管.pptVIP

第六章 半导体二极管及整流电路;; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：;;;;结论;;;;;1.N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂提供的电子，本征半导体中受激产生的电子只占少数。 N型半导体中空穴是少子，少子的迁移也能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。;;;内电场方向;;1、空间电荷区中没有载流子又称耗尽层。; 正极引线;二极管的型号;2.伏安特性;3.主要参数;（3）最大反向电流 IRM;例1. 试求下列电路中的电流。（二极管为硅管）;; 例2：下图中，已知VA=3V， VB=0V， VDA 、VDB为锗管，求输出端Y的电位并说明二极管的作用。 ;第二节 整流电路;uo;;VD1和VD3导通,VD2和VD4截止(相当于开路);第8章 ;?t;滤波原理:;电容 充电;a;u2;输出波形随负载电阻RL或C的变化而改变,U0也随之改变。;;二、硅稳压管稳压电路;;2. 稳压管参数的选择;1.简介;1端: 输入端 2端: 公共端 3端: 输出端;;2. 三端集成稳压器基本稳压电路;3. 同时输出正、负电压的稳压电路;4.集成稳压电路的主要性能指标;;;;;3.分类 三极管的种类很多，通常按以下方法进行分类： ?按半导体制造材料可分为：硅管和锗管。硅管受温度影响较小、工作稳定，因此在自动控制设备中常用硅管。 ?按三极管内部基本结构可分为：NPN型和PNP型两类。目前我国制造的硅管多为NPN型(也有少量PNP型)，锗管多为PNP型。 ?按工作频率可分为：高频管和低频管。工作频率高于3MHz为高频管，工作频率在3MHz以下为低频管。 ?按功率可分为：小功率管和大功率管。耗散功率小于1W为小功率管，耗散功率大于1W为大功率管。 ?按用途可分为：普通放大三极管和开关三极管等。 ;电流放大原理;二、三极管的电流放大作用 1．三极管放大条件 要使三极管能够正常放大信号，发射结应加正向电压，集电结应加反向电压。 NPN管偏置电路 PNP管偏置电路 电源VCC通过偏置电阻Rb为发射结提供正向偏置，RC阻值小于Rb阻值，所以集电结处于反向偏置。;;;;;;;五、三极管引脚与管型的判别 （1）先确定b极 （2）判断e极、c极 ; 第二节 三极管基本放大电路 一、基本放大电路的构成  1.电路元件作用 共发射极基本放大电路由三极管、电阻和电容所组成。 V—晶体三极管，起电流放大作用 +VCC—直流供电电源 Rb—基极偏置电阻 C1—输入耦合电容 C2—输出耦合电容 RC—集电极负载电阻 2.放大电路的电压、电流符号规定 共发射极基本放大电路 ?直流分量——用大写字母和大写下标表示，如IB、IC、IE、VBE、VCE。 ?交流信号——用小写字母和小写下标表示，如ib、ic、ie、vbe、vce。 ?交流和直流叠加信号——用小写字母和大写下标表示，如iB、iC、iE、vBE、vCE。;;;