【2017年整理】一讲绪论.pptVIP

光电子器件与技术;姓名：帅词俊 教授邮箱：shuai@mail.csu.edu.cn电话地址：机械楼A座308;参考教材;第一讲 绪论;硅材料光刻、化学刻蚀技术群的突破 ——微电子技术与微电子产业时代;激光器与光导纤维器件制造工艺的突破 ——光电子技术与光电子产业;第一讲 绪论;光电子技术发展;光电子技术发展;最早的光通信 公元前11世纪，西周王朝，烽火台 白天点狼粪，晚上燃柴火——“狼烟四起”;1880年贝尔发明了第一个光电话系统，通话距离213米;激光器的发明和应用， 光通信进入一个崭新的阶段，它具有亮度高、谱线窄、方向性好 但由于大气通信受气象条件的影响，通信不稳定; 大气光通信受阻，人们将研究的重点转入到地下光波通信的实验，先后出现过反射波导和透镜波导等地下通信的实验。但反射波导和透镜波导造价昂贵，调整、维护困难。;1870年，英国物理学家丁达尔 太阳光随着水流发生弯曲 n水 n空气，光发生全反射;DB的值;损耗原因： 1、玻璃纤维中含有过量的铬、铜、铁与锰等金属离子和其他杂质 2、拉制光纤工艺造成芯、包层分界面不均匀及其所引起的折射 率不均匀;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;1970年，美国康宁公司研制成功损耗20 dB/km的石英光纤。 1972年，康宁公司高纯石英多模光纤损耗降低到4 dB/km。 1973年，美国贝尔实验室的光纤损耗降低到2.5 dB/km。 1974年，贝尔实验室将损耗进一步降低到1.1 dB/km。 1976年，日本电报电话(NTT)公司将光纤损耗降低到0.47 dB/km (工作波长1.2 mm)。 ;1970年，美国贝尔实验室、日本电气公司(NEC)和前苏联先后，研制成功室温下连续振荡的镓铝砷(GaAlAs)双异质结半导体激光器(短波长)。虽然寿命只有几个小时，但它为半导体激光器的发展奠定了基础。 1973年，半导体激光器寿命达到7000小时。 1977年，贝尔实验室研制的半导体激光器寿命达到10万小时。 1979年，美国电报电话(ATT)公司和日本NTT研制成功波长为1.55 mm的半导体激光器。;1976年，美国在亚特兰大进行第一个实用光纤通信系统的现场试验 1976年和1978年，日本先后进行了速率为 34 Mb/s 的阶跃多模光纤通信系统和速率为100 Mb/s的渐变型多模光纤通信系统的试验 1980年，美国标准化FT - 3光纤通信系统投入商业应用 1983年，敷设了纵贯日本南北的光缆长途干线 1988年，由美、日、 英、法发起的第一条横跨大西洋TAT-8海底光缆通信系统 1989年，第一条横跨太平洋 海底光缆通信系统建成;第一代：1966~1979 (从基础研究到商业应用的开发时期) 激光器 (GaAs) 波长0.8 μm，多模光纤，最大中继距离10 km (当时的同轴电缆系统中继距离为1 km)，比特率在10~100 Mb/s。多模色散和损耗是限制中继距离的关键。;第二代：上世纪80年代早期 (通过减小光纤色散) 激光器 (InGaAs) 波长1.3 μm，单模光纤，最大中继距离50 km，比特率2.0Gb/s。光纤的损耗限制了中继距离，当时的损耗为 ~0.5 dB/km。;第三代：上世纪80年代后期初90年代初 (通过降低光纤损耗) 激光器 (InGaAsP) 波长1.55μm，单模 (色散位移) 光纤，比特率2.5~10 Gb/s，最大中继距离100 km。这个阶段的缺点是采用电的方式中继。;第四代：上世纪90年代之后 (通过引入WDM和全光放大技术) 激光器 (InGaAsP) 波长1.55 μm，单模光纤，采用波分复用技术和光放大技术，单个波长信道比特率2.5~10 Gb/s，传输距离14000 km;光纤通信的主要特性;损耗低、中继距离长;抗干扰能力强;保密性强;体积小、重量轻;光纤的原材料取之不竭;其它优点;缺点;光纤通信系统的光波段;光纤通信系统的光波段;光纤通信系统的光波段;光纤通信系统的光波段