【2017年整理】二集成电路设计技术与工具.pptVIP

第二章 集成电路材料与器件物理基础 2.1 引言 2.2 集成电路材料 2.3 半导体基础知识 2.4 PN结与结型二极管 2.5 双极型晶体管 2.6 MOS晶体管的基本结构与工作原理 2.7 金属半导体场效应晶体管MESFET 2.8 本章小结 ;2.1 引言;2.2 集成电路材料;作为导体，铝、金、钨、铜等金属和镍铬等合金在集成电路工艺中主要具有如下功能： （1）构成低值电阻； （2）构成电容元件的极板； （3）构成电感元件的绕线； （4）构成传输线（微带线和共面波导）的导体结构； （5）与轻掺杂半导体构成肖特基结接触； （6）与重掺杂半导体构成半导体器件的电极的欧姆接触； （7）构成元器件之间的互连； （8）构成与外界焊接用的焊盘。 重掺杂的多晶硅电导率接近导体，因此常常被作为导体看待，主要用来构成MOS晶体管的栅极以及元器件之间的短距离互连。 ;作为绝缘体，二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等硅的氧化物和氮化物在集成电路工艺中主要具有如下功能： （1）构成电容的绝缘介质； （2）构成金属-氧化物-半导体器件（MOS）的栅绝缘层； （3）构成元件和互连线之间的横向隔离； （4）构成工艺层面之间的垂直隔离； （5）构成防止表面机械损伤和化学污染的钝化层。;而半导体材料，也是集成电路制造中的核心材料，则主要利用半导体掺杂以后形成P型和N型半导体，在导体和绝缘体材料的连接或阻隔下组成各种集成电路的元件—半导体器件。 半导体材料在集成电路的制造中起着根本性的作用。 ;2.3半导体基础知识2.3.1 固体的晶体结构 ;电子共有化;晶体原子在空间的周期排列就形成了具有一定几何外形的晶体，通常将这种周期排列称为晶格。 较为常见的主要有简单立方、体心立方、面心立方和金刚石结构。 砷化镓材料是一种面心立方；而硅和锗都是金刚石结构。 ; （a）砷化镓材料的闪锌矿结构 （b）硅材料的金刚石结构;2.3.2 固体能带结构基础2.3.2.1能带的形成;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;当大量相同原子靠近并按照周期性排列后，它们相互作用并形成周期势场，导致能级发生分裂。; 量子力学计算表明，固体中若有N个原子， 由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原 子的每一个能级,变成了N条靠得很近的能级， 称为能带。;能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 能带的一般规律 （1） 外层电子共有化程度显著，能带宽度较宽；内层电子相应的能带较窄。 （2） 点阵间距越小，能带越宽，?E越大。 （3） 两能带有可能重叠。;能带中的电子排布服从泡利不相容原理和能量最低原理。电子根据泡利不相容原理先填满能级低的能级再填能级较高的能级。能带出现五种情况 ;满带 能带中各能级都被电子填满。通常发生在内层能带（电子能量较低）。满带中的电子不能起导电作用。 价带(valence band Ev) 共价电子所在能级分裂后形成的能带。理想情况下，在价带之上能带是空的，没有电子 ，在价带之下的能带则是全部填满的。在半导体中，价带就是能带最高的满带。 导带(conduction band EC) 电子部分填充的能带。导带中的电子容易在外场下运动而形成电流，所以称为导带。对半导体而言，导带则是紧邻价带的那个“空带”。;空带 所有能级均未被电子填充的能带。由原子的激发态能级分裂而成，正常情况下是空的。当有激发因素（热激发、光激发等）时，价带中的电子能够被激发进入空带。在外电场作用下，这些电子的转移同样可以形成电流。所以，空带也是导带的一种。 禁带 在能带之间的能量间隙区，由于量子力学限制电子不能填充，这段能级区域称为禁带。导带和价带之间的禁带宽度对晶体的导电性有重要的作用。禁带不是一定存在的，如果上下能带重叠，其间的禁带就不存在 。;2.3.2.2 导体、绝缘体和半导体的能带结构 ;导体 由于导带不满或者满带与空带（或导带）重叠，在外加电场的作用下电子很容易从能带内或者交叠的能带中的较低能级向较高能级跃迁转移而形成定向移动，从而形成电流。(作业5：把下列元素按照原子核电子排列的方式画出来);绝缘体 绝缘体的能带结构通常下图。最顶层的满带之上是没有电子填充的空带，并且空带与满带之间的禁带非常大（通常大于3电子伏特（eV），例如二氧化硅），满带中的电子很难从外界的光、电、热激发中获得足够的能量而跳跃到空带上来。 ;半导体 半导体的能带结构与绝缘体类似。不同的是半导体的禁带宽度较窄，一般小于3eV，如图。由于半导体禁带宽度小，在外电场、光