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讲座题目：太赫兹电子器件研究进展讲座时间：讲座地点：报告人简介：杨林安，西安电子科技大学微电子学院教授，博士生导师，IEEE会员。1986年和1989获西北电讯工程学院半导体物理与器件专业学士与硕士学位；2003年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位；2004至2005年从事博士后研究工作；2007年为日本国立德岛大学客座研究员。近年来研究工作包括纳米CMOS器件可靠性、碳化硅和氮化镓宽禁带半导体材料和微波大功率器件工艺等，担任IEEE-Trans. ED、 J. Applied Physics、Solid-State Electronics等国际高等级学术期刊的论文审稿人，主持和参与国家自然科学基金面上和重点项目、863重大专项、国防预研项目等多项课题研究。目前主要研究领域为宽禁带半导体微波毫米波器件技术、太赫兹功率电子器件技术。讲座内容：太赫兹技术是当前国际最前沿研究领域之一，面临众多需要探索的科学问题。讲座涉及太赫兹应用背景、半导体太赫兹技术进展等，重点介绍宽禁带氮化物半导体的Gunn器件，IMPATT器件，RTD器件及电路在太赫兹频率上的应用，探索大功率新型器件的研究和实现技术，旨在突破太赫兹波在输出功率密度上的瓶颈。讲座同时介绍本人负责的太赫兹科研团队情况，介绍已在Applied Physics Letter、J. Applied Physics、IEEE-TED等国际高等级刊物上发表的创新性研究成果和国际同行的关注情况。希望能够跟同学们探讨如何从科学的角度去开拓新的研究领域，交流心得体会。