微机原理第6篇-主存储器.pptVIP

图6.10(a) Intel 2164 DRAM芯片引脚图 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址输入 CAS：列地址选通 RAS：行地址选通 WE：写允许 Din：数据输入 Dout： 数据输出 Vcc：电源 GND：地 图6.10(b) Intel 2164 DRAM内部结构框图 Dout WE Din CAS RAS A7 … A1 A0 8 位 地 址 锁 存 器 128×128 矩阵 128个读出放大器 1/2列译码 128个读出放大器 128×128 矩阵 128×128 矩阵 128个读出放大器 1/2列译码 128个读出放大器 128×128 矩阵 4选1 I/O门控 输出缓冲器 行时 钟缓 冲器 列时 钟缓 冲器 写允 许时 钟缓 冲器 数据 输入 缓冲 器 包含： (1) 存储体 外围电路 a. 地址译码器 b. 读/写控制及I/O电路 c. 片选控制CS 二、RAM的组成 6.3 只读存储器(ROM)