半导体缺陷解析与中英文术语一览.pdfVIP

一、半导体缺陷 1.位错：位错又可称为差排（英语：dislocation ），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微 观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度 看，位错属于一种线缺陷， 可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性 能，具有极大的影响。 产生原因：晶体生长过程中，籽晶中的位错、固-液界面附近落入不溶性固态颗粒，界面附 近温度梯度或温度波动以及机械振动都会在晶体中产生位错。在晶体生长后，快速降温也容 易增殖位错。（111）呈三角形；（100）呈方形；（110 ）呈菱形。 2.杂质条纹：晶体纵剖面经化学腐蚀后可见明、暗相间的层状分布条纹，又称为电阻率条纹。 杂质条纹有分布规律，在垂直生长轴方向的横断面上，一般成环状分布；在平行生长轴方向 的纵剖面上，呈层状分布。反映了固-液界面结晶前沿的形状。 产生原因：晶体生长时，由于重力产生的自然对流和搅拌产生的强制对流，引起固-液界近 附近的温度发生微小的周期性变化，导致晶体微观生长速率的变化，或引起 杂质边界厚度 起伏，一截小平面效应和热场不对称等，均使晶体结晶时杂质有效分凝系数产生波动，引起 杂质中杂质浓度分布发生相应的变化，从而在晶体中形成杂 质条纹。 解决方案:：调整热场，使之具有良好的轴对称性，并使晶体的旋转轴尽量与热场中心轴同 轴，抑制