06.电介质第四部分试卷.pptVIP

电子陶瓷材料 1.??半导体陶瓷电容器的分类及其性能 半导体陶瓷电容器按其结构、工艺可分为三类：表面阻挡层型，表面还原再氧化和电价补偿型，晶界层型。它们的构造及主要性能列于下表： §6-4 半导体陶瓷电容器 §6-4 半导体陶瓷电容器 2. 金属与半导体的接触  功函数：对任何材料，Fermi能级与真空能级之差称为功函数，常用φ表示。 对于金属材料，功函数是电子离开金属表面的能量的平均值，对于半导体，Fermi能级处于禁带中，不占有电子，只有导带电子才能离开材料表面。 金属与半导体的接触可形成欧姆接触，阻挡层接触和中性接触。 1）阻挡接触（φm＞φs） 2) 欧姆接触 ?1）阻挡接触（φm＞φs） Es～自建电场 主导在半导体中,使半导体表面附近的能带发生弯曲。 ?图1 金属与n型半导体建互相绝缘：金属的功函数φm与半导体的X（X为半导体的亲和能E0－EC）对于一定材料为确定的，但半导体的φs随掺杂不同而变法。 图2 M-S间用导线连接：载流子重新分布，Efm=Efs ?图3 M-S相互接触：电子流动，是半导体表面形成一层由荷正电的电离施主形成的空间电荷层，阻挡层 按IEC标准，陶瓷电容器被分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ共三大类型。 Ⅰ型陶瓷电容器是电容量随温度变化稳定度较高的电容器，主要用于高频谐振回路中，常被称为高频陶瓷电容器。按照介电常数高