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第4章 存 储 器 4.1 存储器概述 本 节 结 束 4.2 主存储器工作原理 (4) 动态 RAM 刷新 集中刷新 刷新周期内对全部存储单元集中一段时间逐行刷新 分散刷新 对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成 异步刷新 集中刷新与分散刷新的结合 2. 多体并行系统 采用多体模块组成的存储器,每个模块既能并行,又能交叉工作 高位交叉 低位交叉 存储器控制部件(存控) 排队器 存控标记触发器 节拍发生器 控制线路 本 节 结 束 4.3 高速缓冲存储器 本 节 结 束 4.4 辅助存储器 3. 评价记录方式的主要指标 编码效率 位密度与磁化翻转密度的比值 自同步能力 从单个磁道读出的脉冲序列中所提取同步时钟脉冲的难易程度 其它指标 读分辨力、信息独立性、频带宽度、抗干扰能力 四、软磁盘存储器 五、磁带存储器 七、循环冗余校验码 1. 模2运算 模2加、减:0+1=1,0+0=0,1+0=1,1+1=0 模2乘 模2除 2. 循环冗余校验码(CRC)的基本原理 是在待编的n位信息码后再拼接k位的校验码,整个编码长度为N位,因此,这种编码又叫(N,k)码。对于一个给定的(N,k)码,可以证明存在一个多项式G(x),根据G(x)可以生成k位信息的校验码,而G(x)叫做这个CRC码的生成多项式。 3. 校验码的具体生成过程 假设发送信息用信息多项式M(x)表示,将M(x)左移k位,则可表示成M(x)*xk,这样M(x)的右边就会空出k位,这就是校验码的位置。通过M(x)* xk除以生成多项式G(x)得到的余数就能得到校验码。为了得到k位余数,G(x)必须是k+1位。 实例:假设使用的生成多项式G(x)=x3+x+1,4位的有效信息为1100,求CRC码。 解: 1、将生成多项式G(x)=x3+x+1转换成对应的二进制除数1011,共4位,因此k=3。 2、把有效信息1100左移3位,变成1100000。 3、用生成多项式对应的二进制数1011对左移3位后的有效信息1100000进行模2除,得余数010,即校验码。 4、CRC码为1100000+010=1100010,又称(7,4)码。 5. CRC码的译码和纠错 如果余数(校验码)不为0,则表明某一位出错。参照课本表4.6 生成多项式G(x)的要求: 任何一位发生错误,都应该使余数不为0 不同位发生错误应使余数不同 对余数继续作模2除,应使余数循环 本 节 结 束 2. 磁表面存储器的记录方式 0 1 1 1 0 0 0 1 0 数据序列 RZ NRZ NRZ1 PM FM MFM T 位周期 三、硬磁盘存储器 1. 硬磁盘存储器的类型 (1) 固定磁头和移动磁头 (2) 可换盘和固定盘 2. 硬磁盘存储器结构 磁 盘 控 制 器 磁 盘 驱 动 器 盘 片 主 机 磁盘 磁 盘 组 主轴 磁头 音圈 电机 位置检测 定位驱动 模拟控制 放 大 闭环自动控制系统 由磁盘控制 器送来的目 标磁道信号 测 速 输 出 读写臂 传动机构 主轴 定位驱动 数据控制 (1) 磁盘驱动器 (2) 磁盘控制器 接收主机发来的命令,转换成磁盘驱动器的控制命令 实现主机和驱动器之间的数据格式转换 控制磁盘驱动器读写 通过总线 (3) 盘片 对主机 对硬盘(设备) 磁盘控制器是 主机与磁盘驱动器之间的接口 由硬质铝合金材料制成 六、光盘存储器 1. 概述 采用光存储技术 采用非磁性介质 采用磁性介质 第一代光存储技术 第二代光存储技术 不可擦写 可擦写 2. 光盘的存取原理 只读型和只写一次型 可擦写光盘 热作用(物理或化学变化) 热磁效应 利用激光写入和读出 3. 光盘与其它辅存的比较 1010 X 101 1010 0000 1010 100010 101 101?10000 101 010 000 100 101 01 (2) 字扩展(增加存储字的数量) 用 1K × 8位 存储芯片组成 2K × 8位 的存储器 11根地址线 8根数据线 2片 1K× 8位 1K× 8位 D7 D0 ??? ??? ??? ??? ??? WE A1 A0 ??? A9 C
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