半导体中的电子状态试卷.ppt

第一章 半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 半导体中载流子的产生及导电机构 半导体的能带结构 概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 §1.4 半导体中载流子的产生及导电机构 一、载流子的产生及导电机构 二. 半导体的能带结构 1. 元素半导体的能带结构 金刚石结构 x y z 导带 价带 硅和锗的能带结构 [0ī0] [100] [00ī] [010] [ī00] [001] 硅导带等能面示意图 极大值点 k0 在坐标轴上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面。 (1)导带 A B C D 导带最低能值 [100]方向 硅的能带结构 价带极大值 位于布里渊区的中心（坐标原点K=0） 存在极大值相重 合的两个价带 外面的能带曲率小，对应的有效质量大，称该能带中的空穴为重空穴 ，(mp*)h 。 内能带的曲率大，对应的有效质量小，称此能带中的空穴为轻空穴，（mp*)l 。 E(k)为球形等能面 （2）价带 锗的能带结构 导带最低能值 [111]方向布里渊区边界 存在有四个这种能量最小值 E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面 价带极大值 位于布里渊区的中心（K=0） 存在极大值相重合 的两个价带 外